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碳化硅半导体材料属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。碳化硅的电阻率范围通常在0.005Ω·cm到200Ω·cm之间。
测量方法
非接触涡流法是一种常用的测量导电碳化硅单晶片电阻率的方法。这种方法适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片，能够测量电阻率在0.005Ω·cm到200Ω·cm和表面电阻在0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围内的样品。
影响因素
碳化硅的电阻率受其纯度和杂质含量的影响。纯度越高，杂质含量越少，电阻率越高。此外，碳化硅的制备方法和处理过程也会对其电阻率产生影响。例如，不同的制备方法可能导致碳化硅的晶体结构和缺陷不同，从而影响其电学性能。
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