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目录:牛津仪器(上海)有限公司>>ICPCVD>> PlasmaPro 100 ICPCVD

PlasmaPro 100 ICPCVD
  • PlasmaPro 100 ICPCVD
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具体成交价以合同协议为准
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更新时间:2022-11-30 12:45:42浏览次数:345评价

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This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with low substrate damage. 询价 增加到询价列表 在询价列表中查看此产品
  • 在低温度下沉积低损伤的薄膜
  • 可沉积的典型材料包括: SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC,衬底温度可低至5ºC 
  • 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性
  • 晶圆尺寸高至200mm
  • 电极的温度范围为5ºC至400ºC
  • 已获得ICPCVD气体配送技术
  • 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺
SiO2

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT

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