与 HTS 80-1000-SCR 相同,HTS 40-1000-SCR 以硅控整流器(SCR)技术为核心,但针对 4kV 额定电压进行了专项调校。SCR 芯片的耐压等级与触发阈值经过精准匹配,确保在 4kV 工作电压下,导通压降控制在更低水平,开关损耗较同功率等级设备降低 15% 以上。这种优化使其在持续脉冲工作模式下,温升幅度显著减小,无需额外强化散热即可满足日均 12 小时以上的连续运行需求
Behlke HTS 40-1000-SCR:中高压脉冲开关
技术架构的针对性优化
1. 适配中高压的 SCR 核心调校
与 HTS 80-1000-SCR 相同,HTS 40-1000-SCR 以硅控整流器(SCR)技术为核心,但针对 4kV 额定电压进行了专项调校。SCR 芯片的耐压等级与触发阈值经过精准匹配,确保在 4kV 工作电压下,导通压降控制在更低水平,开关损耗较同功率等级设备降低 15% 以上。这种优化使其在持续脉冲工作模式下,温升幅度显著减小,无需额外强化散热即可满足日均 12 小时以上的连续运行需求,尤其适合中小型高压实验平台与工业中试线。
2. 模块化设计的紧凑升级
延续系列模块化组合理念,HTS 40-1000-SCR 采用更紧凑的模块布局,整体体积较 HTS 80-1000-SCR 缩减 20%。单个功能模块集成了触发电路、保护单元与散热组件,支持 3 组模块并联扩展,最大可实现 3000A 峰值电流的协同输出。在实验室有限空间内,可通过标准 19 英寸机架安装,配合即插即用的连接接口,设备部署时间缩短至传统开关的 1/3,极大提升了系统集成效率。
二、差异化电气性能解析
1. 电压与电流的精准平衡
40kV 的峰值电压与 1000A 的峰值电流构成了的性能组合 —— 相较于 HTS 80-1000-SCR 的高电压侧重,该型号更强调中高压下的电流控制精度。在脉冲宽度 5-100μs 的典型工况中,电流上升率(di/dt)可稳定控制在 50A/μs 以内,脉冲顶部平坦度误差≤3%,这一指标在金属表面脉冲淬火、半导体材料离子注入等需要精准能量密度的工艺中至关重要。例如在精密合金的脉冲时效处理中,稳定的电流脉冲能确保材料晶格重构的均匀性,提升产品力学性能的一致性。
2. 强化的脉冲时序控制
设备搭载升级后的触发逻辑电路,支持 0-10kHz 的脉冲重复频率调节,且脉冲间隔误差控制在 ±50ns 以内。通过 TTL 触发信号(3.3V 兼容)可实现外同步控制,与激光、传感器等外部设备的时序同步精度达 100ns 级别。在同步辐射实验中,能精准配合 X 射线脉冲,实现材料在高压脉冲作用下的瞬时结构变化捕捉,为科研人员提供更精准的动态响应数据。
贝克HTS 181-12-B
贝克HTS 181-12-LC
贝克HTS 181-160-FI
贝克HTS 181-200
贝克HTS 181-240-SI
贝克HTS 181-25-B
贝克HTS 181-300-MCT
贝克HTS 181-40
贝克HTS 181-400-FI
贝克HTS 20-08
贝克HTS 20-32-F
贝克HTS 20-36-F
贝克HTS 200-10
贝克HTS 200-20
贝克HTS 200-25-F
贝克HTS 200-800-SCR
贝克HTS 2000-160
贝克HTS 201
贝克HTS 201-01-GSM
贝克HTS 201-03-GSM
贝克HTS 201-10-AC
贝克HTS 201-10-GSM
Behlke HTS 40-1000-SCR:中高压脉冲开关