19959282717
当前位置：福建石屹科技有限公司>>PLC，传感器，模块>>功放管>> BLF546NXP恩智浦半导体高频功放管
| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 环保,地矿,电子/电池,航空航天,电气 |
|---|
NXP恩智浦半导体高频功放管
NXP恩智浦半导体高频功放管
NXP恩智浦（Philips Semiconductors更名后的品牌）生产的BLF545、BLF546和BLF571都是高性能的功放管，广泛应用于通信和射频领域。以下是对这三款功放管的详细分析：
主要特性
专为UHF频率范围内的通信发射器应用设计。
采用Silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS技术。
高功率增益和易于功率控制。
良好的热稳定性和金质金属化确保可靠性。
设计用于宽带操作。
封装与规格
封装形式为SOT268，具有4个引脚。
封装内包含两个陶瓷盖，法兰提供晶体管的公共源极连接。
（注：由于BLF546的详细参数和特性可能因具体型号和批次而异，以下信息基于一般描述）
主要特性
同样作为UHF push-pull power MOS transistor，适用于高频功率放大。
提供高击穿电压、大电流处理能力以及高热稳定性。
易于功率控制，具有出色的鲁棒性。
参数概览
漏源击穿电压、漏源泄漏电流、栅源泄漏电流等关键参数均经过严格测试和优化。
提供详细的参数数据手册，方便用户根据具体需求进行选择和设计。
主要特性
专为射频和功率放大器设计，适用于高频应用。
提供了完整的ADS（Advanced Design System）模型资源包，便于设计师在ADS环境中进行准确模拟和优化。
具有高效的仿真能力和精确性，可显著缩短设计周期，减少实体样机制作的迭代次数。
适用于各种功率放大器的设计和优化，确保在高频应用中的性能表现。
应用范围
广泛应用于射频和微波系统、工业、科学和医疗设备以及无线通信基站等领域。
最小漏源击穿电压为110V，最大漏极电流（ID）为3.6A，最高工作温度可达225°C。
设计用于宽带操作（如10MHz至500MHz），具有高效率（如70%）和高功率增益（如27.5dB）。
共同优点：这三款功放管都具备高性能、高可靠性和广泛的应用范围。它们都适用于高频应用，具有高效率、高功率输出等特点。
差异点：
BLF545和BLF546更侧重于UHF频率范围内的通信发射器应用，而BLF571则提供了完整的ADS模型资源包，便于设计师进行仿真和优化。
BLF571在高频应用中的性能表现更为突出，具有更高的功率增益和效率。
封装形式和具体参数方面也存在一定差异，用户需根据具体应用场景和需求进行选择。
综上所述，NXP恩智浦的BLF545、BLF546和BLF571都是高性能的功放管，适用于各种高频应用场景。在选择具体型号时，需要根据应用需求、技术参数以及价格等因素进行综合考虑。
BLF642 全新进口 现货 高频管 微波射频管
BLF645 现货 进口高频微波射频管 100W 1400MHZ
BLF645高频管 进口 支持一站式配单
BLF647P BLF647全新高频管 请
BLF647P BLF884P 现货 高频管 微波射频管
BLF6G10LS-135R BLF6G10LS-200RN高频管射频管BLF7G24LS-140
高频微波射频管 场效应管
请输入账号
请输入密码
请输验证码
以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，化工仪器网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
化工仪器网