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恩智浦半导体射频晶体管专为射频和功率放大器设计，适用于高频应用。提供了完整的ADS（Advanced Design System）模型资源包，便于设计师在ADS...
恩智浦半导体射频晶体管专为射频和功率放大器设计，适用于高频应用。提供了完整的ADS（Advanced Design System）模型资源包，便于设计师在ADS...
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恩智浦半导体射频晶体管专为射频和功率放大器设计，适用于高频应用。提供了完整的ADS（Advanced Design System）模型资源包，便于设计师在ADS...
三菱模块射频高频管M67760LB检查模块型号和规格是否与您的应用需求相匹配。使用适当的散热器和热导膏，确保模块的有效散热。仔细连接模块的输入输出端子，避免短路...
三菱模块射频高频管M57729EL检查模块型号和规格是否与您的应用需求相匹配。使用适当的散热器和热导膏，确保模块的有效散热。仔细连接模块的输入输出端子，避免短路...
三菱模块射频高频管M57719检查模块型号和规格是否与您的应用需求相匹配。使用适当的散热器和热导膏，确保模块的有效散热。仔细连接模块的输入输出端子，避免短路和接...
三菱模块射频高频管检查模块型号和规格是否与您的应用需求相匹配。使用适当的散热器和热导膏，确保模块的有效散热。仔细连接模块的输入输出端子，避免短路和接触不良。在安...
恩智浦场效应管微波射频管BLP9G0722-20漏源电压（VDS）：50V静态漏极电流（IDq）：0.5A峰值包络功率（PL(PEP)）：140W平均输出功率（...
恩智浦场效应管微波射频管BLF8G09LS-400PW漏源电压（VDS）：50V静态漏极电流（IDq）：0.5A峰值包络功率（PL(PEP)）：140W平均输出...
恩智浦场效应管微波射频管BLF888B漏源电压（VDS）：50V静态漏极电流（IDq）：0.5A峰值包络功率（PL(PEP)）：140W平均输出功率（PL(AV...
恩智浦 半导体高频管射频功放管BLL6H1214-500采用优良的LDMOS技术，具有高热稳定性和低输出电容。典型漏极效率可达30%，能够节省能源并降低功耗。内...
恩智浦 半导体高频管射频功放管BLF8G38LS-75V采用优良的LDMOS技术，具有高热稳定性和低输出电容。典型漏极效率可达30%，能够节省能源并降低功耗。内...
恩智浦 半导体高频管射频功放管BLF8G27LS-150GV采用优良的LDMOS技术，具有高热稳定性和低输出电容。典型漏极效率可达30%，能够节省能源并降低功耗...
恩智浦高频管射频功放管BLD6G22L-150BN在现代电子设备的核心部件中，高频管扮演着至关重要的角色。恩智浦半导体（NXP）半导体解决方案提供商，其BLC6...
恩智浦高频管射频功放管BLC8G27LS-160AV在现代电子设备的核心部件中，高频管扮演着至关重要的角色。恩智浦半导体（NXP）半导体解决方案提供商，其BLC...
恩智浦高频管射频功放管BLC6G27LS-100在现代电子设备的核心部件中，高频管扮演着至关重要的角色。恩智浦半导体（NXP）半导体解决方案提供商，其BLC6G...
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