1.产品概述：
HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蚀。采用Cluster结构布局，能够减小占地，提升产能。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。可实现自动化地上下料及自动工艺。
2.设备应用：
HSE M200
晶圆尺寸:
8英寸及以下
适用材料:
硅、SOI、SOG
适用工艺:
深硅刻蚀
适用领域:
微机电系统、科研领域
HSE P300
晶圆尺寸:
8/12英寸兼容
适用材料:
硅、氧化硅、氮化硅
适用工艺:
深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等
适用领域:
先进封装
3.设备特点
HSE M200
双等离子源和双区进气，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率
兼容性强，工艺种类多样，应用领域广泛，系统可靠性强
灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
低拥有成本和运营成本
HSE P300
使用立体高密度等离子源，大幅提升刻蚀速率
双等离子源和双区进气，确保较高的均匀性
全自动化软件控制，高产能
低拥有成本和运营成本
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