一、产品简介：
CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：
1.介电材料（SiO2、SiNx等）
2.硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
3.III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
4.溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
5.类金刚石（DLC）
二、RIE反应离子刻蚀机 产品特点
1.7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。
2. PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。
3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。
4. 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
5. 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。
6. HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。
7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。
8. 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。
9. 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。
10. 有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。
11. 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。
三、技术参数
型号 | RIE200 | RIE200plus |
舱体内尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
舱体容积 | 2L | 2L |
射频电源 | 40KHz | 13.56MHz |
电极 | 不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm | 不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm |
匹配器 | 自动匹配 | 自动匹配 |
刻蚀方式 | RIE | RIE |
射频功率 | 10-300W可调（可选10-1000W） | 10-300W可调（可选10-600W） |
气体控制 | 质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调） | |
工艺气体 | Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选） | |
最大处理尺寸 | ≤Φ200mm | |
时间设定 | 1-99分59秒 | |
真空泵 | 抽速约8m3/h | |
气体稳定时间 | 1分钟 | |
极限真空 | ≤1Pa | |
电 源 | AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 | |
化工仪器网