半桥有三种结构:一种是将两只二极 管顺向串联,在结点处引出一电极(如 2CQ1 型),另一 种是将两只二极管背靠背式反极性连接(称共阴式,如 2CQ2 型);第...

整流桥堆：整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50...

功率模块 西门康桥式整流器 整流模块变频器。整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在...

三相整流电路通常用于大功率场合，相比于单相整流电路，三相整流电路输出电压脉动小，低次谐波频率也比单相整流电路的高。用电感滤波效果好。现货西门康整流器功率模块整流...

整流桥由控制器的控制角控制, 当控制角为0°～90°时， 整流桥处于整流状态, 输出电压的平均值为正;当控制角为90°～180&#...

按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离，但整流变压器的等效容...

整流桥一般带有足够大的电感性负载， 因此整流桥不出现电流断续。一般整流桥应用时, 常在其负载端接有平波电抗器, 故可将其负载视为恒流源。多组三相整流桥相互连接，...

桥式整流器将整流电路的所有分支集成在单个紧凑的外壳中。其电流范围从几安培到数百安培不等，具有不同的封装形式。赛米控提供不控、半控、全控的单相或三相拓扑结构的桥式...

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内...

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内...

肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳...

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间...

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间...

肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳...

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏...

肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易...

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的...

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不...

桥式整流是对二极管半波整流的一种改进。桥式整流器对输入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。桥式整流是交流电转换成直流电的第一个步骤。 需要特别指出的是，二极管作为...

桥式整流器利用四个二极管，两两对接。输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时，另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输出还是得到...