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快速二极管模块 艾赛斯BYT260/BYT261整流器
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,...
型号: BYT系列
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:52
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快速二极管模块二极管艾赛斯整流器半导体模块
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艾赛斯IXYS 快恢复二极管 功率半导体模块
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、...
型号: DSEI2X30-...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:51
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艾赛斯IXYS二极管快恢复二极管整流器半导体模块
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艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现...
型号: CLA110MB1...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:14
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艾赛斯可控硅半导体模块电子元器件艾赛斯可控硅
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全新现货艾赛斯可控硅功率模块晶闸管1200V
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内...
型号: MCO系列
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:13
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可控硅模块可控硅艾赛斯可控硅IXYS艾赛斯晶闸管
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美高森美IGBT模块全新现货半导体电子元器件
IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,简化...
型号: APT150GN6...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:12
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IGBT模块电子元器件半导体模块美高森美
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IXBN75N170 德国艾赛斯IGBT模块/功率半导体
IGBT是第三代功率模块,工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史...
型号: IXA60IF12...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:11
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德国 IXYS艾赛斯电子元器件半导体模块IGBT模块晶体管
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威士MOS管FB190SA10场效应管功率模块
在供电系统中,MOS管的主要作用的是稳压。MOS管芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、...
型号: FA72SA50L...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:10
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MOS管功率模块威士功率半导体模块FA72SA50LC
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美高森美MOS管/场效应管/功率模块/APT系列
MOS管导通特性,导通的意义是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适宜用于源极接地时的情况(低端驱动),只需栅极电压抵达4V或...
型号: APT47F60J...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:09
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美高森美MOS管场效应管半导体模块电子元器件
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低功率艾赛斯IXYS模块MOS管场效应管开关
MOS场效应晶体管通常简称为场效应管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集...
型号: 40-100V
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:08
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艾赛斯IXYS场效应管MOS管MOS场效应管半导体模块
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艾赛斯模块MOS管现货供应
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(Iulator)—半导体。MOS管的...
型号: 150-300V
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:07
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德国IXYS艾赛斯MOS管场效应管半导体模块艾赛斯模块
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MOS管/三极管/场效应管 德国IXYS艾赛斯
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Traistor),即金属氧化物半导体型场效应管...
型号: 500-650V
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:06
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德国IXYS艾赛斯MOS管场效应管半导体模块电子元器件
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艾赛斯IXYS场效应管MOS管触发开关驱动模块
MOS具有以下特点:开关速度快、高频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等。其最重要的有点就是能够减少体积大...
型号: 800-900V
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:05
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艾赛斯IXYS场效应管MOS管MOS场效应管半导体模块
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德国艾赛斯MOS管场效应管模块贴片大功率
mos管在电路中一般用作电子开关,在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断...
型号: 1000-2500...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:04
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德国艾赛斯MOS管模块半导体模块MOS场效应管艾赛斯
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英飞凌二极管IGBT模块BYM600A/300B170DN2
IGBT最常见的应用形式是模块。大电流和大电压环境多使用IGBT模块,IHS数据显示模块和单管比例为3:1。而IPM是特殊的IGBT模块,主要应用于中小功率变频...
型号: BYM系列
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:03
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英飞凌二极管模块IGBT模块BYM300B170DN2BYM600A170DN2
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英飞凌IGBT斩波模块FD150R/FD200R/DF150R
在电动汽车的“三电"方面,TESLA的Model S使用的三相异步驱动电机,其中每一相的驱动控制需要使用28颗塑封的IGBT芯片,三相共需要使用84颗IGBT芯...
型号: FD/DF斩波模块
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:02
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FD系列斩波模块IGBT模块英飞凌半导体模块
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IGBT模块2U/6U全新正品Infineon英飞凌系列
由于系统结构的问题,有时驱动板不能直接焊在或是螺丝拧在IGBT上,而是通过线缆连接到IGBT的辅助端子。连同驱动电路本身的输出杂散电感和IGBT内部的栅极绑定线...
型号: GX6U/GAL2...
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:01
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IGBT模块Infineon英飞凌可控硅2单元6单元
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1200V英飞凌 6单元IGBT模块BSM半导体
IGBT开通性能而言,有两个比较重要的表现指标:一个是开通时桥臂电流的变化率di/dt,另一个是器件从关断状态到导通状态所产生的开通损耗。前者如果太高,续流二极...
型号: GD6单元系列
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:39:00
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英飞凌IGBT模块半导体模块6单元半导体模块
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英飞凌IGBT模块1单元BSM系列1200V/1700V
如今,IGBT已被广泛应用于工业电源领域。与MOSFET相同,它也是一种压控型器件。其开关性能可通过IGBT驱动设置加以控制或影响。优化IGBT开关性能对于系统...
型号: GA1单元系列
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¥666更新时间:2024/3/22 10:38:33
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Infineon 英飞凌IGBTBSM系列电子元器件IGBT模块
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英飞凌IGBT模块BSM系列GB2单元功率模块
德国infineon公司生产的IGBT模块品种繁多,为了使客户选型方便,我们对其按电压等级进行分类,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、...
型号: GB系列
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:38:32
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英飞凌IGBT模块电子元器件半导体模块GB2单元
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英飞凌IGBT模块4单元H桥电子元器件半导体
IGBT使用注意事项(1)操作过程中要佩戴防静电手环(2)尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,...
型号: F4系列
所在地:苏州市
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¥666更新时间:2024/3/22 10:38:30
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F4系列H桥系列半导体模块4单元IGBT模块