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目录:筱晓(上海)光子技术有限公司>>光电探测器>>InGaAs铟镓砷光电探测器>> InGaAs雪崩光电探测器 100MHz 800-1700nm

InGaAs雪崩光电探测器 100MHz 800-1700nm
  • InGaAs雪崩光电探测器 100MHz 800-1700nm
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
  • 品牌 其他品牌
  • 型号
  • 厂商性质 经销商
  • 所在地 上海
属性

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更新时间:2024-12-05 20:53:12浏览次数:948评价

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产地类别 进口 应用领域 化工,能源,建材/家具,电子/电池
InGaAs雪崩光电探测器 100MHz 800-1700nm
高速低噪声雪崩光电探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度控制;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;

InGaAs雪崩光电探测器 100MHz 800-1700nm 

高速低噪声雪崩光电探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度控制;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度控制确保雪崩光电二极管不受温度的影响,提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。高速低噪声雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度控制;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度控制确保雪崩光电二极管不受温度的影响,提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。InGaAs雪崩光电探测器 100MHz 800-1700nm 

光谱响应
800-1700nm
响应度
9A/W
带宽(Hz)
200 MHz
技术参数

产品特点

● 噪声低

● 高增益

● 内置高压电源

● APD温度控制

● 结构紧凑

● 内置低噪隔离电源

产品应用

● 光纤传感

光纤通信

激光测距

光谱测量

ns 级光脉冲探测




技术参数


产品型号

APD-50M

APD-100M

APD-200M-A

APD-350M

APD-800M

APD-1.6G

单位

探测器类型

InGaAs

波长

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

800~1700

nm

带宽

DC-50M

DC-100M

DC-200M

DC-350M

AC-800M

AC-1.6G

HZ

响应度

9

9

9

9

9

9

A/W

跨阻增益

300k

300k

50k

50k

50k

300k

V/A

输出阻抗

50

50

50

50

50

50

Ω

饱和功率

4.2

4.2

4.2

4.2

4.2

4.2

uW

NEP

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

0.46

pW/√(Hz)

输出耦合方式

FC/APC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供电电压

5

5

5

5

12

12

V

供电电流

3(max)

3(max)

3(max)

3(max)

3(max)

3(max)

A

光学输入

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC

FC/APC


射频输出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

100*100*25

100*100*25

100*100*25

100*100*25

100*100*25

100*100*25

mm




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InGaAs雪崩光电探测器 200MHz 800-1700nm




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