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目录:筱晓(上海)光子技术有限公司>>光电探测器>>MCT碲镉汞探测器>> 3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe
  • 3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
参考价 面议
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  • 品牌 其他品牌
  • 型号
  • 厂商性质 经销商
  • 所在地 上海
属性

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更新时间:2024-12-05 19:14:07浏览次数:1000评价

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产地类别 进口 应用领域 化工,能源,建材/家具,电子/电池
3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe

PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的佳性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe

PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光探测器,具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的佳性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

光谱响应
2.5-6.5um
技术参数

产品特点

● 可探测中红外光波范围2.5-6.5μm

● 可配专用前置放大器

● 提供TO39与BNC两种封装形式


产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测

技术参数

参数

探测器型号

PV-3

PV-3.4

PV-4

PV-5

PV-6

有源元件材料

外延MCT异质结构

最佳波长λopt(μm)

3

3.4

4

5

6

相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥8.0×109

≥7.0×109

≥5.0×109

≥2.0×109

≥1.0×109

相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

≥6.5×109

≥5.0×109

≥3.0×109

≥1.0×109

≥5.0×108

电流响应度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.0

≥1.0

时间常数T,ns

≤350

≤260

≤150

≤120

≤180

电阻×光敏面面积R·A,Ω∙cm^2

≥1

≥0.5

≥0.1

≥0.01

≥0.002

感光面尺寸A,mm×mm

0.05×0.05,0.1×0.1

封装

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

接收角ϕ

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

窗口



BNC型封装及尺寸

参量

数值

光敏面积AOmm×mm

0.05×0.05-0.1×0.1

孔径C,mm

Φ4

接收角度Φ

~102°


TO39型封装及尺寸

TO39-引脚定义

引脚定义

功能

引脚号

探测器

1 , 2 

接地

3

探测器光谱响应特性曲线

80409c43-40e6-48ce-b254-63904ec6526d.jpg


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