Pluto-MC 真空等离子体涂覆（镀膜）设备 返回列表页

Pluto-MC 真空等离子体涂覆（镀膜）设备

产品简介：

Pluto-MC利用等离子体改性时，将试样置于特定的离子处理装置中，通过高能态的等离子轰击试样的表面，将能量传递给试样表层的分子，使试样发生热蚀、交联、降解和氧化反应，并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂，产生大量自由基或引进某些极性基团，从而优化试样表面的性能。

产品特点：

Pluto-MC利用等离子体改性时，将试样置于特定的离子处理装置中，通过高能态的等离子轰击试样的表面，将能量传递给试样表层的分子，使试样发生热蚀、交联、降解和氧化反应，并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂，产生大量自由基或引进某些极性基团，从而优化试样表面的性能。

等离子体对其改性的主要途径是引发表面接枝，具体方法是用非聚合气体(如Ar,H2,O2,N2和空气等)对样品表面进行等离子体处理，使其表而形成活性自由基，之后利用活性自由基引发功能性单体，使其在表面进行接枝聚合

利用沉淀反应进行表面改性,这是工业上目前应用多的方法。

Pluto-MC 真空等离子体涂覆（镀膜）设备产品特点：

1.    在现有设备基础上，增加涂覆组件，可升级配置

2.    高精度控制，多参数设置，可控性佳

3.    已经有成熟的应用，可提供疏水涂覆材料

4.    都有电极间距可调设计，反应程度可控，有效控制涂覆效率

5.    可根据客户需求，定制和设计工艺

系统组件设有储料腔、加热装置、保温装置和流量控制装置。
 储料腔设计为可拆结构，便于清洗和更换不同的原料；
 加热装置可气化反应物质，并保持一定温度；

流量控制装置对反应物进行流量控制，使气氛按需要的气量喂入到反应腔内

技术参数：

● 加液容积：10-150ml

● 温控范围：加热（室温~200℃）保温（室温~200℃）
● 流量控制：转子流量计
● 管路：多4路气体（同时可通入4种物质）

● 电源电压：交流220V