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| 供货周期 | 现货 | 规格 | 12V系列 |
|---|---|---|---|
| 货号 | 415316834 | 应用领域 | 医疗卫生,能源,电子,交通,电气 |
| 主要用途 | 控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,UP |
中达电通蓄电池DCF126-2/500 2V500AH销售
产品分类品牌分类
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产品简介
详细介绍
中达电通蓄电池DCF126-2/500 2V500AH销售
中达电通蓄电池DCF126-2/500 2V500AH销售
为保证通信设备稳定可靠工作，电源在现代通信系统中的作用愈来愈重要。为此，国内外通信电源研发和制造者作出了积极努力，各种通信电源不断涌现，且趋向智能化，小型化、低功耗、高效率、长寿命，以满足通信和信息产业发展的需要。近年来，国内开始对通信电源的电磁兼容性提出一定要求，而欧美等工业发达国家已于90年代初期开始强制对电子产品及电气设备进行电磁兼容性能检测和改进，以减少电磁环境污染，保证电子设备正常可靠运转，保护人类良好生态环境。我国于80年代中期开始建立军用电磁兼容的测试手段，制定了相应标准。随着民用电子工业、信息产业的迅猛发展，为适应市场要求，90年代我国民用电磁兼容检测机构应运而生。到目前已基本建立了能适应国内外需求，满足不同行业技术标准要求的检测手段，为提高我国电子产品电磁兼容性能奠定了良好基础。通信电源作为通信电子产品的重要分支，其电磁兼容性能已引起国内外同行广泛关注，我国也制定了相应的技术标准。通信电源广泛用于通信网络，为保证通信设备、广播电视等系统可靠运行，提高通信电源的电磁兼容性能势在必行。
台达环境与教育基金会设立台达电力电子科教发展计划﹐用于支持国内致力于电力电子和电力传动研究领域的高校教授们开展科学研究, 并进而设立中达学者计划以及中达青年学者奖计划, 以奖励国内高校从事电力电子及电力传动学科研究的杰出教授、副教授、硕士﹑博士研究生﹐以促进中国电力电子和电力传动学科的创新发展和人才培养。
IGBT损坏的原因
UPS在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等，以及UPS的误操作，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时的损坏原因主要有以下几种情况：
①过电流损坏;
IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，后导致器件的损坏。
②过电压损坏;
IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。
③桥臂共导损坏;
④过热损坏和静电损坏。
IGBT损坏的解决对策
①过电流损坏
为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必须加负偏压，IGBT生产厂家一般*加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT的集电极电压进行检测，如果IGBT发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT，根据IR公司的资料，IR公司*的短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，如果Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT，另外根据三菱公司IGBT资料，三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路(RTCcircuit)，如图6，当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。
②过电压损坏
防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢(但开关损耗也增加了);设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种，详细电路设计可参见所选用器件的技术手册。
③桥臂共导损坏
在UPS中，逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的，而且应该设置死区时间(即共同不导通时间)。如果发生共导，IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。
④过热损坏
可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇制冷，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。此外还要注意安装过程中的静电损坏问题，操作人员、工具必须进行防静电保护。
中达电通DCF126-2系列蓄电池：
DCF126-2/100S | 2V100AH |
DCF126-2/200S | 2V200AH |
DCF126-2/300S | 2V300AH |
DCF126-2/400S | 2V400AH |
DCF126-2/500S | 2V500AH |
DCF126-2/600S | 2V600AH |
DCF126-2/800S | 2V800AH |
DCF126-2/1000S | 2V1000AH |
DCF126-2/1500S | 2V1500AH |
DCF126-2/2000S | 2V2000AH |
DCF126-2/3000S | 2V3000AH |
透过与华中科技大学、清华大学、哈尔滨工业大学、西安交通大学、北京交通大学、南京航空航天大学、浙江大学、上海大学等8所重点大学的合作，历年来共支持了201个科研项目，奖励科研项目35个，颁发了研究生奖学金给790人次，并评选奖励了24位“中达学者”，6位“中达青年学者奖”及资助了18位“台达访问学者”，举办了13次全国性的电力电子新技术研讨会，在中国电力电子科教领域影响深远。
数据中心的可靠性要求非常严格，然而问题也是层出不穷的。UPS系统本身也随着客户需要和技术进步飞速发展，其“需求”和“功能”是共同的驱动力量。“需求驱动”是从IT负载的供电需求角度讲的，永远会追求更高的可靠性，更低的建设成本、运行成本和更好的可适应性。
当前USP已经不单单是为了改善IT负载供电的可靠性而产生的供电设备，还为了持续不断地追求可靠性，已经完成了从产品到系统备份的演变，在目前的架构下，进一步追求可靠性显得步履艰难。
此外，从产品到系统的演变在某种程度上是以高昂的建设成本和运行成本为代价的，对于数据中心使用者来讲，很难接受越来越高昂的成本。从建设的角度说，系统的冗余就以为这投资的倍增;从运营商的角度来讲，数据中心近年来火热的话题就是“绿色和节能”，归根到底就是数据中心使用者希望通过合理的方案降低数据中心的运行成本，主要指的是电费开支。
由于业务发展的阶段性必然导致分阶段的建设，而当前的UPS分期建设远不如IT设备的投资灵活，并且UPS的建设步幅远大于IT设备建设。这样就必然会导致资源浪费或者利用不充分的情况。如何能够使UPS的建设和IT设备的扩容更加匹配和适应，在当前的UPS产品和方案的条件下是一个巨大的瓶颈。
高压直流UPS
高压直流(HVDC)UPS很有可能是UPS发展的下一个阶段，不仅是因为高压直流UPS几乎能够合理传承当前所有UPS的热点和技术前沿技术，也不仅是它能够兼收传统UPS和-48VDC通信电源之间所长而摒弃其短，更重要的是它能够在实现传统UPS所有功能的基础上更好地满足负载供电的可靠性、经济性和适应性。但是目前高压直流UPS还面临一系列问题有待解决。