您好, 欢迎来到化工仪器网
| 供货周期 | 现货 | 规格 | 12V系列 |
|---|---|---|---|
| 货号 | 1321685 | 应用领域 | 医疗卫生,能源,电子/电池,道路/轨道/船舶,电气 |
| 主要用途 | 控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,UP |
圣阳蓄电池GFMD-300C 2V300AH/10HR
产品分类品牌分类
-
闽华蓄电池 能特蓄电池 太阳能蓄电池 MLBATT枫叶蓄电池 OUTDO蓄电池 WTSIR蓄电池 三辰蓄电池 雷仕顿蓄电池 统一蓄电池 英威腾蓄电池 英桥龙蓄电池 CSSB蓄电池 昕能蓄电池 三力蓄电池 商宇蓄电池 LONG广隆蓄电池 海盗蓄电池 SANFOR蓄电池 SEHEY西力蓄电池 洛奇LUOKI蓄电池 宝迪BUDDY蓄电池 美阳M.SUN蓄电池 柏克BAYKEE蓄电池 艾博特蓄电池 中商国通MCA蓄电池 欧特保OTB蓄电池 奥斯达AUSSda蓄电池 恒力蓄电池 矩阵MATRIX蓄电池 凤凰phoenix蓄电池 鸿贝BATA蓄电池 山特蓄电池 维谛蓄电池 耐普NPP蓄电池 乐珀尔蓄电池 威神蓄电池 LEADLINE蓄电池 YOUli蓄电池 三瑞蓄电池 一电蓄电池 中达电通蓄电池 MAX蓄电池 CSB蓄电池 万特蓄电池 沃威达蓄电池 圣普威蓄电池 松下蓄电池 赛力特蓄电池 长海斯达蓄电池 *蓄电池 圣阳蓄电池 大华蓄电池 天力蓄电池 劲博蓄电池 GMP蓄电池 非凡蓄电池 八马蓄电池 风帆蓄电池 南都蓄电池 OTP蓄电池 复华蓄电池 鸿贝蓄电池 圣能蓄电池 东洋蓄电池 科华蓄电池 赛特蓄电池 PMB蓄电池 艾佩斯蓄电池 梅兰日兰蓄电池 金源环宇蓄电池 双登蓄电池 丰江蓄电池 科士达蓄电池 理士蓄电池 长光CGB蓄电池 汤浅YUASA蓄电池 易事特蓄电池 国产2V系列电池 国产12V系列电池
产品简介
详细介绍
圣阳蓄电池GFMD-300C 2V300AH/10HR
圣阳蓄电池GFMD-300C 2V300AH/10HR
山东圣阳电源股份有限公司（简称圣阳股份，股票代码：002580）是。创建于1991年，2011年5月在深交所中小板上市。公司专业从事通信备用电源、电力备用电源、新能源储能电源、动力电源、新能源系统集成等系统方案的设计、开发和经营，是、国内的绿色能源制造商。
UPS整流电路分为普通桥堆整流、SCR相控整流和PFC高频功率因数校正的整流器。传统的整流器由于基频为50HZ，滤波器的体积重量较重，随着UPS技术的发展和各国对电源输入功率因数要求，采用PFC功率因数校正的UPS日益普及，PFC电路工作的基频至少20KHZ，使用的滤波器电感和滤波电容的体积重量大大减少，不必加谐波滤波器就可使输入功率因数达到0.99，PFC电路中常用IGBT作为功率器件，应用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的优点。
③充电器
UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可采用单管IGBT，用于功率控制，可以取得很高的效率和较大的充电电流。
④DC/AC逆变器
3KVA以上功率的在线式UPS几乎全部采用IGBT作为逆变部分的功率器件，常用全桥式电路和半桥电路。
IGBT损坏的原因
UPS在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等，以及UPS的误操作，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时的损坏原因主要有以下几种情况：
①过电流损坏;
IGBT有一定抗过电流能力，但必须注意防止过电流损坏。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路，在规定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，后导致器件的损坏。
②过电压损坏;
IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。
③桥臂共导损坏;
④过热损坏和静电损坏。
在全国各地设有26个营销服务处，配置有专职服务人员共60余人，负责对顾客进行全过程的系统服务工作。
产品型号 | 额定电压 | 10h率容量（Ah） | 长(mm) | 宽(mm) | 高(mm) | 总高 (mm) | 重量 (kg) | 短路电流(A) | 参考内阻(mΩ,25℃) | 端子类型 | |
圣阳 | GFMJ-150H | 2 | 150 | 103 | 206 | 352.5 | 385 | 15 | 1500 | 0.8 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-200H | 2 | 200 | 103 | 206 | 352.5 | 385 | 18.0 | 2000 | 0.75 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-250H | 2 | 250 | 124 | 206 | 352.5 | 385 | 22.0 | 2500 | 0.70 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-300H | 2 | 300 | 145 | 206 | 352.5 | 385 | 25.5 | 2999 | 0.60 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-350H | 2 | 350 | 124 | 206 | 471 | 503.5 | 28.0 | 3049 | 0.58 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-420H | 2 | 420 | 145 | 206 | 471 | 503.5 | 33.5 | 3658 | 0.55 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-490H | 2 | 490 | 166 | 206 | 471 | 503.5 | 37.5 | 4268 | 0.50 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-500H | 2 | 500 | 166 | 206 | 471 | 503.5 | 37.5 | 4268 | 0.50 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-600H | 2 | 600 | 145 | 206 | 646 | 678.5 | 46.5 | 4606 | 0.45 | GFM-28 |
圣阳 | GFMJ-800H | 2 | 800 | 191 | 210 | 646 | 678.5 | 62.0 | 6141 | 0.40 | GFM-28 |
IGBT损坏的解决对策
①过电流损坏
为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必须加负偏压，IGBT生产厂家一般*加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT的集电极电压进行检测，如果IGBT发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT，根据IR公司的资料，IR公司*的短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，如果Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us连续检测通态压降Vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT，另外根据三菱公司IGBT资料，三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路(RTCcircuit)，如图6，当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。
②过电压损坏
防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢(但开关损耗也增加了);设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种，详细电路设计可参见所选用器件的技术手册。
③桥臂共导损坏
在UPS中，逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的，而且应该设置死区时间(即共同不导通时间)。如果发生共导，IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。
④过热损坏
可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇制冷，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。此外还要注意安装过程中的静电损坏问题，操作人员、工具必须进行防静电保护。
其他推荐产品
更多产品-
面议
-
面议 -
面议