VCSEL外延晶圆-深圳市唯锐科技有限公司

参考价	面议

外延晶圆系列

VCSEL外延晶圆

III-V族外延晶圆生长

供货周期	两周	应用领域	环保,化工

VCSEL晶圆，850 nm VCSEL 外延结构具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低阈值电流和适当的光谱特性，适用于电信和光通信应用。

详细介绍

VCSEL晶圆 VIGO提供常见波长的VCSEL外延，例如850nm，940nm，1550nm；也可提供结构定制。可提供外延整片或者DIE；无论是处于产品设计的概念阶段，需要对现有产品进行创新升级，还是寻求开箱即用的解决方案。我们都可以为客户提供研发项目的技术支持，并提出新的方法和途径来生产符合客户要求的外延结构。

850 nm VCSEL 外延结构具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低阈值电流和适当的光谱特性，适用于电信和光通信应用。

主要特点

厚度公差与规格<0.01%

载体浓度公差 <+/-10%

标准波长公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm（不包括5mm边环）

芯片的显微镜图像：

芯片尺寸：

VCSEL晶圆产品性能

VCSEL，切割前的裸片，T=20 | 当前孔径Φ=~4μm

电光特性：

PARAMETER	SYMBOL	TEST COND.	SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelength	λR[nm]	POP=2.0mW	854
Threshold current	ITh [mA]	——	0.7
Threshold voltage	VTH [V]	——	1.95
Laser current	lop [mA]	POP=2.0mW	2.63
Laser voltage	Uop [V]	POP=2.0mW	2.37
Slope efficiency	ns [W/A]	——	1.02
Output power	Popt [mW]	POP=6.0mW	4.93
Differential series resistance	Rs [2]	POP=2.0mW	180
Thermal resistance(VCSEL chip)	Rthremal[K/mW]	——	6.2-7.8
Side mode suppression ratio	SMSR	POP=2.0mW	25
Wavelength tuning over temperature	[nm/K]	——	0.052
Wavelength tuning over current	dλ/dl [nm/mA]	——	0.72-0.85