30V SOT-23 P沟道MOS

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V  SOT-23 P沟道MOS，原装，库存现货热销

 HN3401参数：-30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管
品牌：HN
型号：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封装：SOT-23
沟道：N沟道
HN3401为低压MOS:-30V，P沟道，大电流，小封装MOS，HN3401实际电压可以达到-30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3401产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，游戏机，电源，混色LED灯等电子产品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N
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N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID

MOS场效应管 直流参数：
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏
源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS

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