30V P沟道MOS 30V 4.2A HN3401

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V P沟道MOS 30V 4.2A HN3401，原装，库存现货热销

 HN3401参数：-30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管
品牌：HN
型号：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封装：SOT-23
沟道：N沟道
HN3401为低压MOS:-30V，P沟道，大电流，小封装MOS，HN3401实际电压可以达到-30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3401产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N
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30V P沟道MOS 30V 4.2A HN3401 产品热销

N沟道EMOS管外部工作应满足的条件：

1.VDS > 0（漏极和源极之间的电压必须大于0，保证漏衬PN结反偏）

2.U接电路低电位或S极（保证源衬PN结反偏）

3.VGS > 0（形成导电沟道）

总结：对于N沟道EMOS管常规操作方法：S极接电源的负极是D极的公共端，所以可以在D极上串联一个负载，负载的另一端接电源+，而G*电平接通SD端，而低电平断开SD端。P沟道EMOS管与N沟道EMOS管逻辑相反，不同之处在于G极是低电平导通SD端且D极接GND，高电平断开

N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）。

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