30V TO-252 MOS管 HN10N03DA

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA，原装，库存现货热销

 HN10N03DA参数：30V 10A TO-252    N沟道 MOS管  /场效应管

品牌：HN
型号：HN10N03DA
VDS：30V  
IDS：10A  
封装：TO-252
沟道：N沟道
HN10N03DA原装产品,HN10N03DA现货热销供应
HN10N03DA产品应用于：汽车LED灯, 应急灯等低压DC/DC电路，小家电，电源
售后服务：公司免费提供HN10N03DA样品，并提供产品运用的技术支持。

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 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA 产品热销

N沟道EMOS管外部工作应满足的条件：

1.VDS > 0（漏极和源极之间的电压必须大于0，保证漏衬PN结反偏）

2.U接电路低电位或S极（保证源衬PN结反偏）

3.VGS > 0（形成导电沟道）

总结：对于N沟道EMOS管常规操作方法：S极接电源的负极是D极的公共端，所以可以在D极上串联一个负载，负载的另一端接电源+，而G*电平接通SD端，而低电平断开SD端。P沟道EMOS管与N沟道EMOS管逻辑相反，不同之处在于G极是低电平导通SD端且D极接GND，高电平断开

N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）。