20V 3A P沟道MOS 替代AP2301GN

深圳市三佛科技有限公司 供应 20V 3A P沟道MOS 替代AP2301GN，原装，库存现货热销

 HN2301参数：  -20V -3A SOT-23       P沟道 MOS管/场效应管 
品牌：HN
型号：HN2301GN
VDS:  -20V
IDS: -3A
封装：SOT-23
沟道：  P沟道
HN2301GN原装现货，HN2301GN优势热销

HN2301GN泛运用于电源，充电头，控制板，计算机，家电，通讯设备等产品上.

售后服务：公司免费提供HN2301GN样品，并提供HN2301GN产品运用的技术支持。

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HN2301可以替代：CJ2301，AO2301，AP2301GN，PL2301，NCE2301E，AP2301EN，si2301，NCE2301C，AP2301BGN-HF，NCE2301E。

 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

 场效应管工作原理：就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

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