30V SOT23 贴片MOS HN3400

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V SOT23 贴片MOS HN3400，原装，库存现货热销

 HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N沟道 MOS管/场效应管  

HN3400为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN3400实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3400产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，，电源，混色LED灯等电子产品。

 品牌：HN
型号：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
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 HN3400,HN3400B可以替代型号：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS。

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 场效应管工作原理：就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

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