Si2336DS 威世 30V SOT23 MOS

深圳市三佛科技有限公司 供应 Si2336DS 威世 30V SOT23 MOS，原装，库存现货热销

 Si2336DS参数：30V  5.2A  SOT23  N沟道 MOS管 

品牌：VISHAY 威世 
型号：Si2336DS
VDS： 30V
IDS：  5.2A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
Si2336DS原装现货,Si2336DS优势热销

HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N沟道 MOS管/场效应管  

HN3400  可以替代  Si2336DS

 HN3400为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN3400实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3400产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，游戏机，电源，混色LED灯等电子产品
品牌：HN
型号：HN3400
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
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MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见上图。其中：电极 D（Drain） 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；

电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极；

电极 S（Source）称为源极，相当于发射极。

N沟道增强型MOS场效应管结构
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。

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