100V 3A SOT-89 MOS管3N10 HN03N10D

深圳市三佛科技有限公司供应100V 3A  SOT-89 MOS管3N10，HN03N10D原装产品，库存现货热销

HN03N10D参数：100V 3A  SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管

品牌：HN
型号：HN03N10D
VDS：100V
IDS：3A
封装：SOT-89
沟道：N沟道

HN03N10D原装产品,HN03N10D现货热销供应
HN03N10D为中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN03N10D实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。
HN03N10D产品应用于：LED灯去频闪，香薰机，加湿器 ，LED电源，充电器，小家电，电源
售后服务：公司免费提供HHN03N10D样品，并提供产品运用的技术支持

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【30V MOS N/P沟道】
HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N沟道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N沟道 MOS管 

HN20N03DA：30V 20A TO-252   N沟道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N沟道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N沟道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P沟道  MOS管 
HN20P03 ： SOT-89  -30V -20A  P沟道 MOS管 
HN20P03 ： TO-252  -30V -20A  P沟道 MOS管 
HN16P03 ：-30V -16A  DFN3.3*3.3  P沟道 MOS管 
HN30P03 -30V -30A DFN3*3-8  P沟道 MOS管 

 深圳市三佛科技有限公司是一家致力于电子元器件行业的大型代理分销机构,经营的产品有：集成电路、单片机、二极管、三极管、MOS管、可控硅、 数据收发模块等。 公司主要经营和代理欧美品牌有：FREESCALE、intersil、infineon、Altera、TI、AD、IR、ON、Fairchild、ST、ATMEL、XILINX、NXP、PHILIPS、MOTOROLA、 NATIONAL 、SEMICONDUCTOR、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、AOS等IC 。同时代理销售中国台湾富鼎*(APEC),远翔，成启，华润华晶，长电，新洁能品牌的MOS管，芯茂微 电源管理芯片，二，三极管及驱动IC。  真诚为客户提供原装产品。

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压值相等的情况下，P沟道MOS管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因P沟道MOS管电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用P沟道MOS管电路技术。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。P沟道MOS管集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。