VISHAY半导体 MOSFET 测试设备 返回列表页

 VISHAY半导体 MOSFET 测试设备

影响闸机的因素有很多VISHAY MOSFET，有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行为之前的器件结构的基础可以被解释。本应用笔记详细介绍了基本结构沟槽VISHAY  MOSFET 结构，识别寄生组件和定义相关术语。VISHAY  MOSFET 具有多种拓扑、开关速度、负载电流和可用的输出电压，

VISHAY  MOSFET 已成为无法确定提供最佳性能的通用 MOSFET在广泛的电路条件下的性能。VISHAY  MOSFET 在在某些情况下，导通电(rDS(on)) 损失占主导地位，而在其他情况下，VISHAY  MOSFET 是开关损耗瞬态电流和电压波形，或损失与驱动器件的栅极相关联。VISHAY  MOSFET 输入和输出电容可以是占主导地位的损失。

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