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激光传感器

传感器对物理效应和敏感结构都有一定要求，但侧重点不同。结构型传感器强调要依靠精密设计制作的结构才能保证其正常工作；而物性型传感器则主要依据材料本身的物理特性、物理效应来实现对被测量的感应。例如利用具有压电特性的石英晶体材料制成的压电式传感器，就是利用石英晶体材料本身具有的正压电效应而实现对压力测量的；当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。AIC是“特制集成电路”的英文缩写，它是八十年代末迅速发展起来的一项高技术产品。从设计思想、研制手段，直到测试方法，使与传统的通用集成电路有质的区别，是将超大规模集成电路(VLSI)的工艺技术、计算机辅助设计(CAD)、自动测试技术(ATE)三者结合的丰硕成果。若给电桥加一个恒定电流或电压电源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，经过放大后，再经过电压电流的转换，变换成相应的电流信号，该电流信号通过非线性校正环路的补偿，即产生了输入电压成线性对应关系的4～20mA的标准输出信号。产生漂移的原因有两个方面：一是传感器自身结构参数；二是周围环境（如温度、湿度等）。它实际上是一只特殊的发光二极管，由于其内部材料不同于普通发光二极管，因而在其两端施加一定电压时，它便发出的是红外线而不是可见光。
 

激光传感器

BES M18EL-NSC80B-S04G
QR4015S2K3PXFSFIF8385
HNVCBW8NBS160EX50MM8
MS15-087
HPBYB8FF
QR4003SK3P01FSFMF
930ISFSMM
HP-1001-16FP
32*3
1 FF-S
40CT9990
SS2-LW82-16
KK2
40VM9072-PM
USE16FN-3
THT-3R60-12-2
16 FLO-S
6MSC6N-316
GSC-8
WG3D25SR2
SE16-16TFN-3
FECR-1612
161567007
6FSC4N-316
GSC-6
4ECR4-316
JN8E-3PN
HP-1002-16FP
6MSC4N-316
H6620-0010
BE-12
GE06LRCFX
40F9933
HD-H8-63
FMS-361-6FOPC
E16-16FN-3
6MSC6R-316
20 BL-S
BNKAD6JNC7
UT6FN-3
HPBYB6FF
OLUBE 884-35
SYH-12P-04
C12-12FN-3
IR4002S2K3PX4B
SYH-12S-04
9933-05-DQ
4FBT2N-316
PMX4FN-3
495905F4
FCAP-12
FSCR-1612
HPBWB12FFNG
SS2-LW82-6-6
40VM9071-PM
14*2
MV-4-1014
PV-11-005
PSR06LX
8FSC4N-316
3329 00 02
SE12-12TFN-3
16 CLO-S
H8-62
801-10-BLK-RL
3320 04 00 07
781-20
AGL90
4 MKM-SSV.035
HGVS8PBV
3321 04 00 07
HBEV766DTSE10
CVSS-FNS16-3
GAMT-848
8A-LB8L-T-SS
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)