薄膜传感器 返回列表页

薄膜传感器

传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的传感器。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。它是用来测量力以及可以转换成为力的非电物理量，当发射端按下某一按键时，相应地在接收端有不同的输出状态。对于同一大小的输入信号，传感器的正反行程输出信号大小不相等，这个差值称为迟滞差值。传感器的分类有很多，同样传感器可以通过不同方式进行分类。有一类是从测量目的进行区分传感器。这样传感器可分为物理型传感器，化学型传感器等。把发光器和收光器装入同一个装置内，在它的前方装一块反光板，利用反射原理完成光电控制作用的称为反光板反射式(或反射镜反射式)光电开关。平时敏感芯体没有外加压力作用，电桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。若给电桥加一个恒定电流或电压电源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，经过放大后，再经过电压电流的转换，变换成相应的电流信号，该电流信号通过非线性校正环路的补偿，即产生了输入电压成线性对应关系的4～20mA的标准输出信号。产生漂移的原因有两个方面：一是传感器自身结构参数；二是周围环境（如温度、湿度等）。它实际上是一只特殊的发光二极管，由于其内部材料不同于普通发光二极管，因而在其两端施加一定电压时，它便发出的是红外线而不是可见光。
 

薄膜传感器

BES M12MI-NSC20BV
QR4015S2K3PXFSFIF8385
HNVCBW8NBS160EX50MM8
MS15-087
HPBYB8FF
QR4003SK3P01FSFMF
930ISFSMM
HP-1001-16FP
32*3
1 FF-S
40CT9990
SS2-LW82-16
KK2
40VM9072-PM
USE16FN-3
THT-3R60-12-2
16 FLO-S
6MSC6N-316
GSC-8
WG3D25SR2
SE16-16TFN-3
FECR-1612
161567007
6FSC4N-316
GSC-6
4ECR4-316
JN8E-3PN
HP-1002-16FP
6MSC4N-316
H6620-0010
BE-12
GE06LRCFX
40F9933
HD-H8-63
FMS-361-6FOPC
E16-16FN-3
6MSC6R-316
20 BL-S
BNKAD6JNC7
UT6FN-3
HPBYB6FF
OLUBE 884-35
SYH-12P-04
C12-12FN-3
IR4002S2K3PX4B
SYH-12S-04
9933-05-DQ
4FBT2N-316
PMX4FN-3
495905F4
FCAP-12
FSCR-1612
HPBWB12FFNG
SS2-LW82-6-6
40VM9071-PM
14*2
MV-4-1014
PV-11-005
PSR06LX
8FSC4N-316
3329 00 02
SE12-12TFN-3
16 CLO-S
H8-62
801-10-BLK-RL
3320 04 00 07
781-20
AGL90
4 MKM-SSV.035
HGVS8PBV
3321 04 00 07
HBEV766DTSE10
CVSS-FNS16-3
GAMT-848
8A-LB8L-T-SS
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)