SEMIKRON备品备件SKKT 570/16E 

SEMIKRON备品备件SKKT 570/16E 

ELECTRONICONE62.S23-204M30

SOLARTRONDP 5 P  971135-3

MICRO-EPSILONDS05(15)转速传感器

PROTEUS INDUSTRIES INC9WSPKV50G-1-003

ROBERT STAHL SCHMIDTBD 4R9S/16

MICRO-EPSILONWDS-2500-Z100-CA-P位置传感器

SOLARTRON911173-3 AC PSIM

SEMIKRONSKKT 570/16E可控硅

SOLARTRON911174-3 RS232IMMK2

EBRO ARMATURENE110

HYDROTECHNIK33VH-73-35.V012   替代

REXROTH4WE6J62/EG24N9K4

SOLARTRONAX 1.0 SH T

REXROTHDBDS6K1X 315

BK MIKROTK-BKM-8A-21.015393刀检电机

EUROTHERMEPOWER/3PH-500A/600V/230V/XXX/XXX/XXX/OO/XX/XX/XX/XX/XXX/XX/XX/XXX/XXX/XXX/QS/FRA/500A/440V/3P/3D/XX

MOTRONAFU210信号转换器

CARROLL & MEYNELLMVT9.9K/12A-3E

PRELECTRONICS4114

ROTORUD 1205/1434740-013-7

PRELECTRONICS4501

REO_RROVIBID 615830

PROCENTEC101-800110

EBRO ARMATURENE65

MILTON ROYGA120S6N3V+MOTOR LS56M/T

GAI-TRONICS701-307

GAI-TRONICS13302-002

GAI-TRONICS12504-004

ZENTRO-ELEKTRTK8899-2BE      98228899-102

ROEHM42175

ROEMHELDY1895-203-LM-90

KROHNEK800/R

KROHNEKQ-1407-ZY1063 0-14PH,0-70℃  4-20MA

ING.FRANZ KROMEKE21025

KROMSCHRODERIFW 15-T 84359010不带变压器

ING.FRANZ KROMEKE210-25

FIBRO2961.70.050.200导板

KROMSCHRODERTC 410-10T

ROTARY ENCODEROVW2-2048-2MD

PULSOTRONIC622330        KJ2-M12MB65-DPS-V2 替代

FIBROEM.18.0750.9.132.02.0.0.0

HYDROTECHNIK3948-04-01.00

HEITRONICSKT19.43

REXROTHR910985329

POLYTRON8344200

PROTON-ELECTROTEXD161-250-10（只能买10个）

GAI-TRONICS13314-002

KROMSCHRODERVGBF 50F40-3Z

ROQUET1PLH225-35DE10B

KROMSCHRODERVGBF 80F40-3Z

MICRO-EPSILONTIM160

STARS ELEKTRONIKTVL-1  A230G   04/01

AVS-ROMER617112        EGV-1027/V2-AH9-1/2CG-024

ROLANDS0047000      E20-4P-PR-S

ROSE+KRIEGERFNA5023TA0145

MICRO-EPSILONILD1900

AVS-ROMER613558     EGV-111-A78-1CG-00

ELSTER-INSTROMETRB-TI

MICRO-EPSILONILD1900LL

BK MIKROBKM91PB-21

ELEKTROMOTORENWERK BRIENZKSL250-2

ELETTROTECNTB80CC 710-370-01300

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDP42AGS

DROPSA3405413

ROSSIMR V 125 UO2A

ROEMHELD3829-234

POLYTRON5720/8344200/ 8344200

ROEHM898695

ROEHM462405

FRONIUS壹侨-郎娟娟0360054 2021-08-11 05:05:44

EUROTHERM6180 A

CROUZETU83161.8 SP 41910 40\1A\AC125V

PROMINENTS3BAH040830PVTS170R000

EUROTHERMEPOWER/1PH-100A/600V调功器

STROAMG227-92363 NFF 100

REXROTH3842532009

ROLANDPW42AGS

PROFIMESSPT-01.3.1.1.99.0.80

AROF512LM

PROMINENT142069

ROTECHCR3AAZ0限位开关

CARANE ENVIRONMENTALDELTA-5SWDP

PR ELECTRONICSTP.TI-SU1-RIW

ROTHENBERGERRP50-S

MICRO-EPSILONTIM160S

PAR-GROUP6507-25ID

PAR-GROUP6507-44ID    15米整数倍

ROLAND239504

ROHM60906工件夹具

OMRONG6D-F4B DC24V

PROCEMEX530

PROCEMEXP0527

PROCEMEX999

EUROFLUIDEVM103AX3F

STROMAG140-00706  92 NE - 390 FV凸轮开关

HYDROPADS-302-55

ITRON133-5-72  DN25  PN16/5

ROLANDIE20-30GS

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDIS20-30GS

UNITROME16-P LOGIC I/R2 220/220VDC (100278)信号继电器

FROMMP32.8150       PA6GF30

FROMMP32.0213       ECI 42.40 18VDC

FROMM477136 V665212

FROMMN51.1127       F-NR.2256516

ROLANDSCI20S-GG

PROMINENTGMXA1602NPT20000UA10300EN

ROLANDI20-2-PN-S

PROFIROLL41412722000支撑滚筒

PROFIROLL41417742000支撑轴

MEGATRONKT701K 500N 2410Z

PROFIROLL41425740200支撑滚筒

POWERTRONIC11PM04100100          P688W

PROTISTORS302236  11 URD 273 TTF 1800  替代  （N300737已停产）

PAR-GROUP6507-25ID

PROMINENTGAMMA_XL       GXLAEU0450PVT20000UA1000EN替代

PAR-GROUP6507-44ID

KROHNEDK800/R/K1

MICRO-EPSILONILD1320-200

MICRO DETECTORSSSC/0P-0E光电开关

ROEMHELD18951330M90

HYDROTECHNIK3403-53-G3.46压力感应器

ROEMHELD1895433VDH35

PULSOTRONIC622330  KJ2-M12MB65-DPS-V2替代

HYDROTECHNICHTF/2701-30-76.5

ROEMHELD1895333VDH35

JAY ELECTRONIQUE401RSEF41000    RSEF41-0

KROHNEDK800/R/K1

ROSSIWORM GEARMOTOR CAT. A MR V 125 UO2A- 28X250- 32 MOUNTING POSITION B3 WITHOUT MOTOR减速机

GROSCHOPPWK1153302

SCHROEDERK10

ELERO761906301 ECONOM 1

SOLARTRONWG/10/SJ传感器

ELECTRONICONE62.R16-333L30电容

ROHM577249+771705

PROFIROLL41412722000支撑滚筒

PROCEMEX530

PROFIROLL41417742000支撑轴

ELERO761850501  ECONOM 01

ROEMHELD1942010

REXROTHR930003503

ELECTRONICONE62.G10-202B20 2F/4000V

ELECTRONICONE62.H15-402B20 4F/4000V

EROGLU406.02.13.100.ERP

EROGLU406.02.13.70.ERP

EROGLU406.02.20.70.ERP

EROGLU406.20.45.IK

PROFIROLL41425740200支撑滚筒

ELECTRONICONE50.N15-304N61电容

ELECTRONICONE50.N15-304N61电容

AUTOROTORT55-09-270

ELECTRONICONE50.N15-304N61电容

ELECTRONICONE50.N15-304N61电容

HYDRO-AIR110 102快换接头

STROMAG155-00001  0,23_GHE_553_DFV50限位开关

HYDRO-AIR120 102快换接头

MICRO-EPSILONDS-1

HYDRO-AIR110 104快换接头

MICRO-EPSILONDZ-140

HYDRO-AIR120 104快换接头

HYDRO-AIR110 103 - 39 D 1420/3 G1/2“ – SONDERFARBE GOLD快换接头

HYDRO-AIR120 103快换接头

HYDRO-AIRGE-S10/G3/8快换接头

HYDRO-AIRG1/2 110103快换接头

OMRONG9SA-501 AC/DC24

HYDROPADS-302-55

OMRONE3Z-D87 BY OMC

SOLARTRON9740005-3 DJ10P

OMRONE3Z-T86 BY OMC

OMRONE2B-M18KN16-M1-B1 OMS

OMRONR88D-KT75F

CROUZET83169406 (CD7, KABEL 0,5M LINKS)  注意数量

PROTEUS08012BN16  0–10 VDC  4–20 MA

PR ELECTRONICS5335D

STROMAG51-323BM5Z-299G   NO:152567 1:336

STROMAG151-05160     51_6.5_NM1Z_899

OMRONR88D-KT75F-Z

OMRONE2B-M12KS04-M1-B1

OMRONR88D-KT75F

AVTRONALV8L1G6P000S

ARCOTRONICSC878BF35150AA0J  起订量434个

SOLARTRONAX/2.5/S

CAPTRONCAT-200-21G5/VA-214

COMATROLCP200-3-B-0-E-C-XXX

PR ELECTRONICSTP.TI-SU1-RIW

AUTOROTORT55-09-270

AUTOROTORT55-09-270    41997

JWFROEHLICH458511

STROMAG151-05095     51_75_BMK_499P

ELECTRONICONE33.D93-501615 220001替代

SEMIKRON备品备件SKKT 570/16E 

SEMIKRON备品备件SKKT 570/16E 

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通） [1]。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

主要生产厂家

播报

编辑

主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。

术语

播报

编辑

IT(AV)--通态平均电流

VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流

ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流

VTM--通态峰值电压

IGT--门极触发电流

VGT--门极触发电压

IH--维持电流

dv/dt--断态电压临界上升率

di/dt--通态电流临界上升率

Rthjc--结壳热阻

ⅥSO--模块绝缘电压

Tjm--额定结温

VDRM--断态重复峰值电压

IRRM--反向重复峰值电流

IF(AV)--正向平均电流

PGM--门极峰值功率

PG----门极平均功率

延伸阅读

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1、栅极上的噪声电平

在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。

应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。

2、关于转换电压变化率

当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。

为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。

3、关于转换电流变化率

当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。

4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT

在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。

5、关于连续峰值开路电压VDRM

在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 [2]。

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通） [1]。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

主要生产厂家

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主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。

术语

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IT(AV)--通态平均电流

VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流

ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流

VTM--通态峰值电压

IGT--门极触发电流

VGT--门极触发电压

IH--维持电流

dv/dt--断态电压临界上升率

di/dt--通态电流临界上升率

Rthjc--结壳热阻

ⅥSO--模块绝缘电压

Tjm--额定结温

VDRM--断态重复峰值电压

IRRM--反向重复峰值电流

IF(AV)--正向平均电流

PGM--门极峰值功率

PG----门极平均功率

延伸阅读

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1、栅极上的噪声电平

在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。

应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。

2、关于转换电压变化率

当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。

为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。

3、关于转换电流变化率

当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。

4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT

在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。

5、关于连续峰值开路电压VDRM

在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 [2]。