晶体管特性图示仪型号

晶体管特性图示仪型号用途：

晶体管特性图示仪可用来测定晶体管的共集电、共基、共发射的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流 ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压 BUCBO、BUCEO、BUEBO等；还可以测定二管、稳压管、可控硅、隧道二管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。

晶体管特性图示仪型号简介：

晶体管特性图示仪是一种示波器，它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性；二管的正向、反向特性；稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等~~~

技术指标：

（l）Y轴编转因数：

集电电流范围：0.01～1000毫安/度，分十六档，误差≤±3%；

集电电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3%；

基电压范围：0.01～0.5V/度，分六档，误差≤±3%；

基电流或基源电压：0.05V/度，误差≤±3%；

外接输入：0.1V/度，误差≤±3%；

（2）X轴偏转因数：

集电电压范围：0.01～20V/度，分十一档，误差≤±3%；

基电压范围：0.01～0.5V/度，分六档，误差≤±3%；

基电流或基源电压：0.5V/度，误差≤±3%；

外接输入： 0.1V/度，误差≤±3%。

（3）基阶梯信号：

阶梯电流范围：0.001～ 200mA/度，分十七档；

阶梯电压范围：0.01～0.2V/级，分五档；

串联电阻：10Ω～22KΩ，分 24档；

每族级数：4～12连续可变；

每秒级数：100或200，共3档；

阶梯作用：重复、关、单族，共三档；

性：正、负两档；

误差≤±5%．

（4）集电扫描信号：

峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调；

电流容量： 0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）；

功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5%；

（5）电源：交流 220V ±10%，50Hz±20Hz。

功耗：260VA．

环境温度：－10 ℃～+40℃

相对湿度：≤80%