美国EOT的铟镓砷光电探测器 返回列表页

美国EOT的铟镓砷光电探测器

EOT铟镓砷光电探测器，体积小、带宽>10GHz

内部电压偏置、直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项

短波近红外铟镓砷光电探测器包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。EOT铟镓砷光电探测器又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。

典型包含可见光、近红外的EOT铟镓砷光电探测器的响应度如下：

ET-3500、ET-4000适合短波可见光区域， 3500F、ET-3600、ET-4000F适用于近红外I区的应用，ET-5000、ET-5000F适用于近红外II区。型号确定的含义：

2代表Silicon，3代表 InGaAs，4代表GaAs，5代表Extended InGaAs，ET是厂家EOT的缩写。

短波近红外铟镓砷光电探测器，三元系材料In_xGa₁-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶体的直接带隙半导体，其能带成分因组分的比例不同具有差异，应用广泛。

EOT近红外光电探测器端接到示波器的50Ω电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当铟镓砷PIN光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时，可以测量激光的频率响应。

EOT近红外光电探测器中，>10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器，可以在示波器或频谱分析仪处端接50Ω就可以了。

短波近红外铟镓砷光电探测器的上升/下降时间300ps（典型），影响度0.47A/W@830nm，电源要求直流，带宽>2GHz，输出连接器BNC。特点是占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项。

探测原理是什么呢？

探测器在完成光电转化过程中，不仅给出表征被测对象的电压、电流信号，同时也伴随着无用噪声的电压、电流信号，这是一种起伏信号，其大小决定了探测器的探测能力。

EOT近红外光电探测器的主要指标如下：

1）光电流是存在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流则为无光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流包括以下几种：尽区中边界的少子扩散电流、流子的产生-复合电流、表面泄漏电流。EOT近红外光电探测器的暗电流<0.1nA。

2）探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：暗电流噪声、散粒噪声、热噪声。EOT近红外光电探测器的噪声<0.01pW/Hz。

EOT铟镓砷探测器特点：

-占地面积小

-内部电压偏置

-带宽>10GHz

-直流至22GHz

-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项

EOT近红外光电探测器应用：

-监控调Q激光器的输出

-监控锁模激光器的输出

-监测外部调制连续激光器的输出

-高频、外差应用

-时域和频率响应测量

美国EOT的铟镓砷光电探测器