CNTs Preparation Technology:HiPCOPurity of semiconductor SWCNTs:99.9wt%Diameter:...

CNTs Preparation Technology:ArcPurity of semiconductor SWCNTs:99.9wt%Diameter: 1...

CNTs Preparation Technology:HipcoPurity of metallic SWCNTs:90wt%Diameter: 0.8-1....

有序介孔碳-cmk-3 Ordered mesoporous carbon cmk-3类型：bet1000比表面积（平方米/克）：1000孔径（纳米）：5.57...

有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制备方法：模板法空间群：la3d比表面积（平方米/克）：720孔径（纳...

多孔碳 Porous Carbon密度（g/cm3）：~ 0.3粒径（µm）（D50）：5或8灰分含量（%）：≤0.5%pH值：6.5-7.5表面积（...

无序介孔碳 Disordered Mesoporous制备方法：硬模板法合成比表面积（平方米/克）：600平均孔径（纳米）：50纳米颗粒尺寸：1微米可逆容量（第...

氮掺杂有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制备方法：硬模板氮掺杂的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3空间群：二...

羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%纯度：99%

单层氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制备方法：改良的H法浓度为5mg/mL 10...

单层氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新产品：gno1w001制备方法：改良的H法浓度：...

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

氧化石墨烯（进口） Graphite Oxide用H法制备，水溶性好直径：0.5~5um厚度：1~3nm

单层石墨烯（进口） Single Layer Graphene高比表面积石墨烯制备方法：热剥离还原与氢化还原BET比表面积（平方米/克）：400~1000电阻率...

单层石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene (Graphene Factory)BET比表面积（平方米/克）：650 ~ 750电导率（...

石墨烯纳米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets体积特性外观：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%体积密度：0.10克/毫升水含量：0...

高比表面积氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制备方法：改良的H法高表面积氧化石墨烯直径：1 ~ 5um厚度：0.8~1...

氮掺杂石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面积（平方米/克）：500 ~ 700电导率（S/m） 1000（其特征...

工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene制备方法：热剥离还原厚度（nm）：≤3BET比表面积（平方米/克）：~ 600电阻率（Ω∙c...

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%纯度：99%