氧化石墨烯（进口） Graphite Oxide用H法制备，水溶性好直径：0.5~5um厚度：1~3nm

单层石墨烯（进口） Single Layer Graphene高比表面积石墨烯制备方法：热剥离还原与氢化还原BET比表面积（平方米/克）：400~1000电阻率...

单层石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene (Graphene Factory)BET比表面积（平方米/克）：650 ~ 750电导率（...

石墨烯纳米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets体积特性外观：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%体积密度：0.10克/毫升水含量：0...

高比表面积氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制备方法：改良的H法高表面积氧化石墨烯直径：1 ~ 5um厚度：0.8~1...

氮掺杂石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面积（平方米/克）：500 ~ 700电导率（S/m） 1000（其特征...

工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene制备方法：热剥离还原厚度（nm）：≤3BET比表面积（平方米/克）：~ 600电阻率（Ω∙c...

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%纯度：99%

单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)制备方法：改良的H法直径：1~5um厚度：0.8~1....

氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide (S Method)制备方法：斯托登梅尔方法外观为灰绿色粉末直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm比表...

氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide (S Method)制备方法：斯托登梅尔方法外观为灰绿色粉末直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm比表...

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

制备方法：层间催化裂解法厚度：1~5nm直径：~5um比表面积：90-130 m2/g外观：黑色粉末

制备方法：层间催化裂解法厚度：~2nm直径：5~10um纯度：98%含氧量：1.44%电导率：~2597 s/cm

Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...