Monolayer molybdenum diselenide (1H-MoSe₂) flakes have been exfoliated from bulk...

Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe₂ crystal...

Monolayer tungsten disulfide (1H-WS₂) flakes have been exfoliated from bulk tung...

Monolayer tungsten diselenide (1H-WSe₂) flakes have been exfoliated from bulk tu...

Substrate:Sapphire (c-cut)Quartz (Silica)TEM grids (please supply grids)Thermal ...

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to ...

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片将每个石墨烯...

德国2D Next主要提供机械剥离的超大尺寸二维材料，可以提供在众多基底上的转移技术，如二氧化硅，蓝宝石，CVD金刚石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS...

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilitie...

超高纯 ZrS2粉末（1g）纯度：99.9999%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

高纯 ZrSe2粉末（1g）纯度：99.9995%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

超高纯 ZrSe2粉末（1g）纯度：99.9999%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

高纯 ZrTe3粉末（1g）纯度：99.9995%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

超高纯 ZrTe3粉末（1g）纯度：99.9999%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

高纯BiTe粉末（1g）纯度：99.9995%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料低维材料在线提供众多超高纯...

超高纯BiTe粉末（1g）纯度：99.9999%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

高纯Ta2NiSe5粉末（1g）纯度：99.9995%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

超高纯Ta2NiSe5粉末（1g）纯度：99.9999%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

高纯Sb2Te3粉末（1g）纯度：99.9995%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料

超高纯Sb2Te3 粉末（1g）纯度：99.9999%重量：1g制备方法：使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结用途：用于生长制备二维晶体材料