Multilayer h-BN (Boron Nitride) film is grown onto 50 um thick copper foils. h-B...

This product contains h-BN mono- and few-layer flakes solution in ethanol. The h...

尺寸：5*10cm厚度：1.6mm铜基六方氮化硼薄膜采用化学气相沉积法（CVD），在高纯铜箔上沉积单层和多层h-BN薄膜。

尺寸：10*10cm厚度：1.6mm铜基六方氮化硼薄膜采用化学气相沉积法（CVD），在高纯铜箔上沉积单层和多层h-BN薄膜。

单层、少层、多层等需求定制；尺寸：10*5cm基底：铜

单层、双层、多层等需求定制；尺寸：1*1cm基底：石英基底/PET基底/蓝宝石基底/Sio2/Si

碲化铋晶体 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电气性能：拓扑绝缘体的晶体结构：六边形晶胞参数：a = b ...

二碲化铪晶体 HfTe2(Hafnium Telluride)晶体尺寸：~10毫米电学性能：半金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.395 nm, ...

二碲化钼晶体 1T-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶体尺寸：~10毫米电学特性：金属晶体结构：单斜晶系晶胞参数：a = 0.621 ...

二碲化铌晶体 NbTe2(Niobium Selenide) 晶体尺寸：~8毫米电学性能：金属，半导体（TC ~ 0.7k）晶体结构：单斜晶系，C晶胞参数：a＝...

二碲化钛晶体 TiTe2(Titanium Ditelluride)晶体尺寸：~8毫米电学性能：半金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.377 nm...

二碲化钨晶体 WTe2(Tungsten Ditelluride) 晶体尺寸：10毫米电学性能：半金属，type II Weyl semimetal (WSM)...

晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体，拓扑绝缘体，热电材料晶体结构：单斜晶结构晶胞参数：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α...

晶体尺寸：10毫米电学性能：金属，电荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K）晶体结构：单斜晶晶胞参数：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C =...

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal Sb2Te3. X-ray diffraction was...

电学性能：半金属，电荷密度波（CDW，~ 63K），超导体（TC ~ 2K）晶体结构：单斜磷晶胞参数：a = 0.5864nm，B = 0.3918nm，C =...

二碲化钼晶体 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = ...

二碲化钼晶体 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = ...

二碲化钯晶体 PdTe2 (Palladium Ditelluride)晶体尺寸：2-3毫米电学性能：金属，半导体(Tc ~ 1.7K)晶体结构：六边形晶胞参数...

二碲化钯晶体 PdTe2 (Palladium Ditelluride)晶体尺寸：2-3毫米电学性能：金属，半导体(Tc ~ 1.7K)晶体结构：六边形晶胞参数...