激光二极管

激光二极管是半导体激光器，具有许多不同的形状和尺寸，激光功率范围从几毫瓦到几百瓦。 发射的波长主要取决于激光二极管腔的半导体材料，并且激光二极管可用于覆盖从蓝色到红色甚更远的全可见光谱范围，甚发射红外线。 Schäfter+ Kirchhoff发布的激光二极管覆盖了370 nm2300 nm的整个波长范围。

发散与偏振

激光二极管有源区域的微观横截面为1×3μm，导致发射的辐射发散。大多数激光二极管具有椭圆形横截面的发散辐射锥和近似高斯强度分布。椭圆度可以通过变形光学来克服。

一些二极管（例如VCSEL或圆形激光器）产生圆形光束轮廓。

发射的辐射的偏振是线性的并且平行于二极管的有源区域。偏振程度随二极管电流而变化，并且在阈值处低。

温度和功率依赖性

发射的光谱受二极管温度和二极管电流以及激光腔的几何形状的影响。正面和端面用作法布里 - 珀罗腔，允许多种纵向模式。当刚好超过阈值时，二极管具有等距峰（纵向多模）的波长谱。在增加二极管电流（以产生更高的功率输出）时，通常有一种纵向模式，并且二极管以（纵向）单模发射。然而，材料的增益曲线和折射率是温度相关的，因此，其他纵向模式可以放大，输出波长快速变化几nm，导致模式跳跃

对于非稳定单模二极管，模式跳变随机发生，发射波长和输出功率可以不规律地变化多达3％。对于20-30°C的温度范围，中心波长可漂移2.5-3 nm（GaAs）。由于改变二极管电流会改变二极管温度，因此激光二极管的电流/功率输出依赖性仅是标称值。当激光功率从阈值增加到标称功率时，波长增加2-4nm。