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什么是 三维晶片堆叠技术？
阅读：1392 发布时间：2012-10-11
三维晶片堆叠技术是近年来微电子领域中zui受瞩目的研究课题与发展，其中IC晶片堆叠中的矽通孔是连接传讯的关键角色，其主要优点在于可缩短讯号传递路径、缩小晶片所佔之空间及减少讯号延迟等特点，符合现今电子产品轻薄短小的趋势。电化学沉积在矽通孔技术中扮演一重要角色，其中金属铜沉积部分已普遍使用于三维堆叠领域。
在电化学沉积过程中，普遍使用钝态金属作为导体，如：铜、银或金等类型。由于铜沉积技术已发展至相当成熟之程度，因此近年来将此超级填充方式延伸至磁性材质，如：铁、钴、镍及钨等金属。近年由于钨金属抗腐蚀与低热膨胀系数之特性所以备受瞩目，但由于钨金属是以WO42-状态存在于水溶液中，无法单独进行电化学沉积，须以合金金属型式进行电镀沉积；其中以镍钨之合金搭配潜力，可有效提升镀层之硬度、耐腐蚀、抗酸碱及热膨胀系数低等优势，同时与避免金属扩散之阻障层金属材质相同，可取代原有之阻障层与晶种层直接电镀，完成镍钨合金矽通孔。因此本论文致力于此金属材质之矽通孔沉积研究，找寻其适用之合金比例、电流效率及添加剂等沉积条件。
本实验主要以硫酸镍与钨酸钠为镍钨合金电镀液成份，其中以柠檬酸作为螯合剂。藉由改变添加剂、电流密度等不同的实验变因，进而探讨对于填充矽通孔之影响。由实验结果明显发现此镀液易形成共形沈积的填孔模式，需搭配其他的添加剂来加以改善其沈积方式，以实际电镀及多项的电化学分析方式，试验不同的添加剂、电流密度及搅拌速率等变因，探讨其对于填孔机制及镍钨含量之影响。
参考文献:http://www.xianweijing.org/
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