TGA/TH修饰CdSe/ZnS量子点

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TGA/TH修饰CdSe/ZnS量子点

CdSe纳米颗粒表面缺陷较多，荧光效率较低，光致氧化的稳定性也较差。将半导体材料在纳米尺度上复合，获得核壳结构的纳米半导体量子点是获得尺寸均一，荧光效率，光致氧化的性能量子点的方法。

由于CdSe比ZnS具有低的导带和的价带，当构成核壳结构时，在量子点内的光生电子和空穴大部分将被约束在核内，使这种核壳结构量子点能显示出的光致发光。

CdSe/ZnS 核壳结构量子点的制备：

在室温中分别将醋酸锌ZN ACE和硫化钠ZNS溶于蒸馏水中，加热，磁力搅拌至溶解，得到无色澄清溶液，即为Zn和S的前驱体水溶液。这两种溶液均鲜配制。在通Ar保护下，向CdSe量子点溶液中缓慢加入Zn前驱体与S前驱体，磁力搅拌，100℃水浴回流，充分反应后，即可得到黄色至粉红色胶状 CdSe/ZnS 核壳结构量子点。样品经洗涤、离心沉降和冷冻干燥后，得到粉末状的物质。

用透射电子显微镜和X射线衍射仪测试核壳结构量子点的形貌和结构,用紫外吸收光谱与荧光光谱表征CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能。

结论：ZnS壳层在CdSe核量子点表面外延,形成了核壳结构;CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能于单一的CdSe量子点;的工艺条件会影响CdSe/ZnS核壳结构量子点的荧光性能。

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