MAA/PEG/BSA修饰ZnO量子点

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MAA/PEG/BSA修饰ZnO量子点

ZnO 作为II-VI族半导体材料，具有电子亲和势和迁移率、激子束缚能大等特点，在热、光、电和磁等方面表现出的性能，并被应用于能源、光电子和化工等诸多领域。ZnO量子点较的比表面积和比表面能所引起的团聚现象，程度上限制了量子点的性质，所以采用表面修饰的方法来改变ZnO 量子点的团聚现象及其尺寸稳定性。

制备方法：采用溶胶－凝胶工艺方法制备ZnO量子点。先，向浓度为0. 1mol/L的Zn(Ac)2·2H2O甲醇溶液（125 mL)中逐滴加入浓度为0. 4 mol/L的KOH甲醇溶液（65mL),升温至60℃后持续反应并搅拌3. 5h,得到浑浊液体。随后经静置、离心、洗涤等重复操作，得到纯净的ZnO量子点。分别将获得的ZnO量子点一部分溶于氯仿／甲醇（9:1)混合溶剂中制成浓度为50mg/mL的ZnO量子点溶胶，另一部分干燥成纯白色ZnO粉末用于后续样品测试。为了获得表面修饰的ZnO量子点，制备过程中将不同添加量的PEG加入到Zn(Ac)2-2H2O甲醇溶液中，在60℃下搅拌1h,之后步骤与上述方法相同。

结论：PEG能够涂覆在ZnO量子点表面对其修饰，且不影响ZnO本身的晶体成分和结构。PEG修饰后的ZnO量子点在400~500nm波长区域的缺陷态发射度减小，且修饰后的ZnO量子点团聚现象得到，分散加均匀，粒径尺寸小。PEG修饰后的ZnO量子点紫外－可见吸收阈值变化较小，光学稳定性提。

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