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目录:北京瑞科中仪科技有限公司>>扫描电子显微镜>> 赛默飞Talos™ F200X扫描/透射电子显微镜

赛默飞Talos™ F200X扫描/透射电子显微镜
  • 赛默飞Talos™  F200X扫描/透射电子显微镜
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
  • 品牌 Thermofisher Scientific/赛默飞世尔
  • 型号
  • 厂商性质 经销商
  • 所在地 北京市
属性

产地类别:进口 应用领域:环保,化工

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更新时间:2023-09-08 12:00:41浏览次数:446评价

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产地类别 进口 应用领域 环保,化工
赛默飞Talos™ F200X扫描/透射电子显微镜提供最快速,纳米材料多维定 量表征。由于配备了多种创新功能以提高效率、精度 和使用便易度,Talos™ F200X 是学术、政府和工业 等 领域进行高级研究与分析的理想选择。

默飞世尔科技的 Talos™   F200X 扫描/透射电子显微 镜(S/TEM)提供最快速,纳米材料多维定 量表征。由于配备了多种创新功能以提高效率、精度 和使用便易度,Talos™  F200X 是学术、政府和工业 等 领域进行高级研究与分析的理想选择。

高分辨图像数据质量更好

赛默飞世尔科技的 Talos™   F200X S/TEM 融合了高分辨 率 STEM 和 TEM 成像,行业 X 射线能量色散谱(EDS) 信号检测,以及通过成分面扫实现三维化学表征等功能。利用 智能扫描引擎、基于多个STEM    探测器的四通道合并技术,以 及微分相位衬度(DPC)成像技术,赛默飞世尔科技  Velox™    S/ TEM  控制软件显著地改善  S/TEM  成像质量,可以更好地分析 电磁结构,并实行快速、准确的 EDS 数据处理及定量分析。

赛默飞世尔科技的高亮度 X 场发射电子枪可以在提供高达标准 肖特基场发射电子枪五倍束流的同时保持较小的会聚角。用户 可以获得高信噪比及STEM、EDS   图像分辨率和更多高 分辨  TEM应用。此外,X  场发射电子枪所具有的高稳定性及使 用寿命长等特点使其具有更高的成像效率。

显示范围更广、获取图像速度更快Talos™  快速 D/TEM 成像支持 高分辨率以及原位动态成像。赛默飞世尔科技的 Ceta 16M™  相 机的视场范围更大,图像采集速率可高达每秒 25 帧。同时压电 样品台可以确保高灵敏度,无漂移成像及精确样品导航。因此    Talos™  在节约用户时间的同时可以采集更多样品数据。


赛默飞Talos™  F200X扫描/透射电子显微镜加快纳米尺度范围内分析解决问题的速度

Talos™  F200X 采用赛默飞世尔科技保护的Super-X™  集

成 EDS 系统,它配备了4 个硅漂移 X 射线探测器 (SDD),具有  灵敏度,每秒可收集高达 105 幅能谱。通过 Super-X™  与   A-TWIN 物镜集成,Talos™  F200X 最大限度地提高了 X 射线收 集效率,同时达到给定束流下(即使对低强度 EDS 信号)的理  想输出计数率。

主要优势

提供更优质的图像:  同时进行多重信号探测的高效率 STEM 成像技术为高质量的图像提供了更好的图像对比度

快速获取化学成分数据:快速,精确定量 的 EDS 分析技术以 揭 示纳米级成分细节

更多应用空间:利用专用的各种原位样品杆进行原位动态实验

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让研究更轻松

Talos™   采用用户友好的数字界面和人体工学设计,允许多名科学家访问图像和分析工作流程。快速图像采集与简单易用的操作平台相结合,即使是经验不丰富的操作员也可以快速收集结果。使用全程遥控操作,可以提高使用的便利度并增强环境稳定性。为了保持生产率,Talos™   还配备了新的状况监视器,  以便收集重要的仪器参数,便于远程诊断和支持。


赛默飞Talos™  F200X扫描/透射电子显微镜特征

• 领域光学性能:恒定功率 A-TWIN 物镜

• 易用性:快速、简单的操作切换,可用于多用户环境

• 超稳定平台:恒定功率物镜、压电样品台、可靠的系统外壳和 遥控操作确保最高的稳定性

• SmartCam 相机:数字搜索和查看相机可以提高所有应用 的处理能力,并可以在日光下操作。

• 集成的快速探测器:Ceta 16M 像素 CMOS 相机可提 供较大的视场和很高的读取速度 (25 fps @ 512×512)

• 全程遥控操作:自动光阑系统与 Ceta 相机相结合,支持 全程遥控操作

• 提高分析能力:Talos™  利用 EDS 三维成像技术将化学成分分 析能力从二维扩展到三维 。


安装要求

详细数据,请参考预装指南。


Talos F200X

X-FEG 亮度

1.8 ×109 A/cm2 srad (@200kV)

总束电流

> 50nA

探针电流

1.5 nA @ 1 nm probe (200 kV)

Super-X EDS 系统

4 SDD 对称,无窗设计,遮板保护

能量分辨率

≤136 eV for Mn-K“ and 10 kcps (输出)

EDS 快速面扫

像素驻留时间 低至 10 μs


A-Twin

STEM HAADF 分辨率

0.16 nm

EDX 立体角

0.9 srad

TEM 信息分辨率

0.12 nm

最大衍射角

24˚

双倾杆最大倾转角

±35° alpha tilt / ±30° beta tilt

最大测角器(样品台)倾转角

±90˚



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