详细摘要： 二硒化钒晶体 VSe2 （Vanadium Diselenide）晶体尺寸：~8毫米电学性能：金属，电荷密度波（CDW）晶体结构：六边形晶胞参数：a = b =...

详细摘要： 二硒化钨晶体 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体，P型晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.3...

详细摘要： 二硒化锆晶体 ZrSe2 （Zirconium Selenide）晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.377, c ...

详细摘要： 晶体尺寸：亚毫米大小电学特性：金属晶体结构：单斜晶系晶胞参数：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90...

详细摘要： 晶体尺寸：8毫米电学性能：半导体晶体结构：单斜磷晶胞参数：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ...

详细摘要： 三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide）晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体晶体结构：单斜晶系晶胞参数：a = ...

详细摘要： 二硒化钼晶体 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型晶体尺寸：~10毫米电学特性：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b ...

详细摘要： 二硒化钨晶体 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体，P型晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.3...

详细摘要： 硒化铟晶体（99.995%） InSe晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InS...

详细摘要： 二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,...

详细摘要： 硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTe...

详细摘要： 三硒化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPSe3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,G...

详细摘要： Bismuth Selenide （Bi₂Se₃） Developed at our facilities since early 2011 to optimi...

详细摘要： World record size single crystal SnSe₂ （Tin diselenide） crystals are developed a...

详细摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe₂ matrix.

详细摘要： Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly crys...

详细摘要： Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material remains l...

详细摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe₂ matrix.

详细摘要： High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type d...

详细摘要： The first MoWTe2 ternary alloy.