详细摘要： 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结，低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料

详细摘要： 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结，低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料

详细摘要： 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结，低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料。

详细摘要： 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结，低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料

详细摘要： 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结，低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料。

详细摘要： 碲化铋晶体 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电气性能：拓扑绝缘体的晶体结构：六边形晶胞参数：a = b ...

详细摘要： 二碲化铪晶体 HfTe2（Hafnium Telluride）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.395 nm, ...

详细摘要： 二碲化钼晶体 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶体尺寸：~10毫米电学特性：金属晶体结构：单斜晶系晶胞参数：a = 0.621 ...

详细摘要： 二碲化铌晶体 NbTe2（Niobium Selenide） 晶体尺寸：~8毫米电学性能：金属，半导体（TC ~ 0.7k）晶体结构：单斜晶系，C晶胞参数：a＝...

详细摘要： 二碲化钛晶体 TiTe2（Titanium Ditelluride）晶体尺寸：~8毫米电学性能：半金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.377 nm...

详细摘要： 二碲化钨晶体 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶体尺寸：10毫米电学性能：半金属，type II Weyl semimetal （WSM）...

详细摘要： 晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体，拓扑绝缘体，热电材料晶体结构：单斜晶结构晶胞参数：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α...

详细摘要： 晶体尺寸：10毫米电学性能：金属，电荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K）晶体结构：单斜晶晶胞参数：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C =...

详细摘要： 晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体，拓扑绝缘体，热电性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.425nm，C = 3.048nm，α=β= 90°...

详细摘要： 晶体尺寸：8毫米电学性能：半金属，电荷密度波（CDW，~ 63K），超导体（TC ~ 2K）晶体结构：单斜磷晶胞参数：a = 0.5864nm，B = 0.39...

详细摘要： 二碲化钼晶体 2H-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = ...

详细摘要： 二碲化钯晶体 PdTe2 （Palladium Ditelluride）晶体尺寸：2-3毫米电学性能：金属，半导体（Tc ~ 1.7K）晶体结构：六边形晶胞参数...

详细摘要： 二碲化铂晶体 PtTe2（Platina Ditelluride）晶体尺寸：2~3毫米电学性能：金属，顺磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.400...

详细摘要： 化三铁（锗掺杂）晶体（99.995%） Fe3GeTe2晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,...

详细摘要： Bismuth Telluride （Bi₂Te₃） Developed at our facilities since early 2013 to optim...