光刻工艺设备产品概述：
应用于3D封装、LED、微机电系统、化合物半导体、功率器件等领域。
主要配置：自动对准、自动曝光、LED光源、机器视觉对准系统、高精度硅片承载台、自动楔形误差补偿系统。
LED 光源：3波长任意配置，支持更多应用场景。
高分辨率、高均匀性；使用寿命长，维护简便：
机器视觉对准系统：顶部和底部双模式对准，大视野、高精度；4种照明光可选，工艺适应性强； 手动、自动模式自由切换。
光刻工艺设备技术参数：
掩模版 、硅片 | |
硅片尺寸 | 8"/ 6" |
硅片厚度 | max.10 mm |
掩模版尺寸 | 9" ×9"/ 7" ×7" (SEMI) |
掩模版厚度 | max.6.35 mm |
曝光模式 | |
接触方式 | 软接触、硬接触、真空接触 |
曝光间隙 | 0~1000 μm |
间隙精度 | 1 μm |
曝光强度 | 0 ~ ≥40mw/cm 2 |
曝光镜头 | |
光源类型 | LED |
曝光波长 | 365nm，405nm， |
光强均匀性 | ≤4% 8" / ≤3% 6" |
分辨率 | 真空接触≤1um |
硬接触 ≤1.5μm | |
软接触≤2.2μm | |
间隙 ≤3.6μm | |
对 准 模 式 | |
顶部对准 | < ±1 μm |
可选配底部对准 | < ±2 μm |
顶部对准调焦范围 | 5 mm |
底部对准调焦范围 | 5 mm |
硅 片 承 载 台 | |
运动范围 | X：±5mmY：±5mmθ : ±5° |
分辨率 | 0.04 μm |
顶 部 对 准 镜 头 | |
移动范围 | 6" 40~150mm |
8" 40~200 mm | |
底部对准镜头 | |
移动范围 | 6" 40~150mm |
8" 40~200 mm | |
用 户 界 面 | |
Windows 10 | 可存储工艺菜单 |
场务需求 | |
真空< -0.8 kPa ; 氮气> 0.5 Mpa ; 压缩空气: 0.6~0.8 Mpa | |
供 电 需 求 | |
电压: 230 V ± 10% | 频率: 50~60 Hz |
尺 寸 重 量 | |
长 ×宽 ×: 1200 × 1000 mm | 高: 1973 mm重量 : ~ 400 kg |
采购中心
化工仪器网