E100/E200/E300 8000V功率半导体测试高压程控电源

E系列8000V功率半导体测试高压程控电源具有输出及测量电压高(8000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~8000V，输出及测量电流0~40mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源、 防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

产品特点

ms级上升沿和下降沿减小待测物加电时间降低发热;

单台蕞大8000V，蕞大电流40mA，蕞大功率320W，可拓展至10kV；

恒压或恒流输出，同步测试电压或者电流；

0.1%的精度，高压下纳安级别的漏电流测试；

支持线性、对数及用户自定义扫描；

恒压限流，限流避免炸管

技术参数

型号                E800

蕞大输出功率           320W,8000V/40mA  

输出电压建立时间典型值    ＜5ms

输出接口             SHV

扫描                支持线性、对数及用户自定义扫描 

通信接口             RS-232/以太网

保护                                       支持急停、高压互锁保护

触发                                       支持trig IN及trig OUT

尺寸                                      19英寸，深度：520mm（不包含挂耳及急停按钮）

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合,其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出觉对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于觉对优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求