E100 IGBT击穿电压测试源测单元
- 公司名称 武汉普赛斯仪表有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型号 E100
- 产地 武汉
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2024/5/10 13:10:50
- 访问次数 445
联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息，谢谢!
| 产地类别 | 国产 | 电动机功率 | 0.3kW |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 19英寸1U机箱mm | 应用领域 | 化工,能源,电子/电池 |
| 重量 | 10kg | 最大输出功率 | 300W，3000V/100mA（不同型号有差异）； |
| 输出电压建立时间 | < 5ms； | 输出接口 | KHV（三同轴），支持四线测量； |
武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士学历为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。
武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展为道路，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成B杆。
IGBT击穿电压测试源测单元订货信息
型号 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
测量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
最大功率 | 100W | 220W | 300W |
最小电压量程 | 100V | 100V | 100V |
最大电压量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
最小电流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
最大电流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
IGBT击穿电压测试源测单元简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
技术指标
电压性能参数：
电压 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
电流性能参数：
电流 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
最大输出功率：300W，3000V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间：< 5ms；
输出接口：KHV（三同轴），支持四线测量；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸1U机箱；
采购中心
化工仪器网