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金屬熱蒸鍍設備

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北京瑞科中仪科技有限公司专注半导体材料研究分析设备的研发和应用。专业的团队,专精的服务,提供理想的解决方案。

我们长期专注于半导体材料研究与分析设备的经销和代理,为高校、企业科研工作者提供专业的分析解决方案。以专业技能为导向,用科技来解决用户在科研中遇到的难题。专业的技术工程师和科研工作者进行现场演示和技术交流,打消顾虑,彼此协作,为我国的科研领域谱写新篇章。

北京瑞科中仪科技有限公司长期代理销售供应多种分子材料的研究分析设备,其中包括但不限于扫描电子显微镜、感应耦合等离子体化学气相沉积系统、离子束刻蚀机、等离子清洗机、物理气相沉积系统以及各品牌的光学显微镜以及实验室设备仪器。

客户至上的服务理念,以人为本的企业文化,我们始终为用户提供专业的服务!

合作丨共赢,选择我们,选择未来!

 

半导体材料分析,材料刻蚀

应用领域 环保,化工,电子

金屬熱蒸鍍設備

熱蒸發是物理氣相沉積(PVD)中常用方法,也是PVD簡單的形式之一。使用電加熱的蒸發源可用於沉積大多數的有機和無機薄膜,其中以電阻式加熱法最為常見的。這些蒸發源的優點為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法,以電流通過其容納材料的舟為方式,從而加熱材料。當沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時,材料將開始蒸發並沉積到基板上。

SYSKEY金屬熱蒸鍍設備的熱蒸發可以精準的控制蒸發速度,且薄膜的厚度和均勻度小於+/- 3%。

離子源可用於基板清潔和加速材料的蒸發速度,並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。

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應用领域腔體
  • 金屬材料研究

  • 奈米薄膜

  • 太陽能電池

 

  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸

    和其應用

  • 寬大的前開式門,並有兩個視窗和

    視窗遮版用於觀察基材和蒸發源

  • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。

配置和優點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑為12寸

    晶圓或470 x 370 mm2(玻璃)

  • 寬大的前開式門,並有兩個視窗和

    視窗遮版用於觀察基材和蒸發源

  • 優異的薄膜均勻度小於±3%

  • 具有順序操作或共沉積的多個蒸發源

  • 基板可加熱到800°C

  • 利用載台旋轉來改善薄膜沉積之品質

  • 基板至蒸發源之間距為可調式的

  • 每個蒸發源和基材均有安裝遮板

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套

    箱整合在一起

  • 結合離子源、濺鍍槍、電子束、

    等離子清潔...

  • 基板冷卻

  • 殘留氣體分析儀




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