Solaris Eclipse 快速退火炉系统SS

美国RTP系列的快速退火炉温度均匀度≤1%，处理的大尺寸可以达到200mm，温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4~6路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

- 处理时间：0.1秒至无*；

- 灯管数量及功率：13支，

- 腔体冷却：风冷方式；

- 衬底冷却：氮气吹扫；

- 工艺气路：MFC控制，多6路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；

应用领域：

快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

硅化 (Silicidation);

扩散 (Diffusion);

化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing);

离子注入后退火 (Implant Annealing);

电极合金化 (Contact Alloying);

晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);