LMBE 激光分子束外延系统

激光分子束外延系统（LMBE）是在传统的分子束外延（MBE）和脉冲激光沉积系统（PLD）的基础上发展而来的，PLD与提供原位监测的反射高能电子衍射仪（RHEED）相结合，使得系统能够实现类似于MBE的，单原子层精度的薄膜生长。相比于MBE的热蒸发，它是使用脉冲激光的高能量使材料蒸发甚至电离，因此被称作Laser MBE（激光分子束外延系统）。LMBE属于薄膜制备设备，适用于生长各种纳米尺度的单层膜或多层膜。

（LMBE）

荷兰TSST（Twente Solid State Technology BV）公司生产的LMBE产品，基于荷兰Twente 大学的原始设计，并且能够满足不同客户的需求，具有很大的灵活性。公司自成立以来，一直致力于PLD/LMBE系统的研发与生产，客户通过使用我们的产品，取得了丰硕的科研成果。

产品特点及优势：

• 超高真空沉积腔体，本底真空优于10^-9mbar。
• 可集成多种薄膜制备和表面分析设备，如磁控溅射源、离子源、STM、XPS等。
• 可以通过软件编写工艺流程，系统自动执行，可实现多层膜的自动化生长。
• 提供原位监测的RHEED的电子枪通常需要工作在较高的真空环境下（小于10^-6mbar），但LMBE系统在成膜过程中往往需要较高的工艺压力，我们的LMBE采用的是STAIB公司生产的差分抽气RHEED，系统的zui高工作气压可达100Pa。
• 为了减小在使用RHEED时，磁场对电子束的影响，我们的LMBE系统能稳定加热电流，同时使用抗磁场金属外壳来保护电子枪。
• TSST公司是高压RHEED的发明人，其在RHEED结果的分析上造诣很深，可以为用户提供结果分析建议。

RHEED振荡曲线

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