多用途快速退火炉设备,适用于硅,化合物半导体,光子学& MEMS
zui高温度到1500℃, 升温速率zui大200℃/s, 高真空性能,快速冷却选项
应用:•注入退火
•合金接触
•快速热氧化(RTO)
•快速热氮化 (RTN)
•从旋涂掺杂物扩散
•致密性和结晶化
硅化等工艺
基片类型:硅片、化合物半导体硅片、太阳能电池用的多晶硅片、玻璃基片、金属基片、石墨舟等。
主要特点:•配有无声风扇冷却的红外卤素管灯退火炉
•不锈钢冷壁腔室技术
•快速数字PID温度控制器
•热电偶和高温计控制
•大气和真空下工艺性能
•配有针阀的吹扫气路
•zui多5路工艺气路配有数字MFC控制器
配有以太网通讯的PC控制,用于快速数据记录
•可选涡轮分子泵和压力控制