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极钼芯完成天使轮融资，领跑二维半导体材料和设备国产化
2026年05月23日 10:45:00
来源：化工仪器网 点击量：4543
在后摩尔时代发展浪潮下，二维半导体成为芯片产业突破物理极限的重要方向。近日，南京极钼芯斩获天使轮融资，依托高校原创核心技术，打造材料与设备一体化产品体系，攻克大尺寸单晶量产技术难关，凭借硬核科研成果与市场应用实力，持续推进国产二维半导体技术商业化进程。
近日，南京极钼芯科技有限公司(简称 “极钼芯”)顺利完成天使轮融资，本轮由远致星火与光谷产投联合投资，资金将重点用于技术迭代、产线建设及团队扩充，全力推动二维半导体从实验室技术走向规模化商用，巩固我国在后摩尔时代半导体领域的先发优势。
随着硅基芯片逼近物理极限，二维半导体凭借原子级厚度、低功耗与高集成潜力，成为延续摩尔定律的核心方向，全球巨头与科研机构均加速布局。行业共识明确，产业化核心瓶颈集中在大尺寸高质量单晶量产与兼容 Fab 产线的专用设备两大关键环节。极钼芯自成立起便锚定这一痛点，从材料与设备源头构建自主技术体系，致力为全球半导体产业提供中国解决方案。
极钼芯2024年11月成立，核心技术源自南京大学，团队深耕二维材料领域十余年，已构建 “材料制备—设备研发—工艺优化” 全链条能力。依托首创的普适性衬底修饰技术，公司全球率先实现8英寸二维TMDC半导体单晶量产，可稳定制备二硫化钼(N型)、二硒化钨(P型)等多种核心材料。自主研发的oxy‑MOCVD设备，通过氧辅助动力学调控等创新，彻底解决传统工艺晶畴小、速率低、碳污染等难题，性能超越国际同类产品，相关成果两度发表于《Science》，彰显基础研究与工程化落地的双重实力。
目前，极钼芯已形成完整 “材料+设备” 产品矩阵：材料端提供2–8英寸全尺寸二维半导体单晶晶圆，覆盖科研至工业级需求；设备端推出全球首创oxy‑MOCVD沉积系统、晶圆级全自动真空转移系统，实现核心装备100%国产化。产品已服务剑桥大学、香港中文大学、复旦大学等顶尖机构，并与下游 Fab 厂商达成战略合作，稳步拓展国际市场，推动 “中国材料、中国设备” 成为全球二维半导体产业的核心基础设施。
本轮融资将加速极钼芯产业化步伐，助力其进一步突破技术边界、完善产能布局，推动二维半导体在集成电路、柔性显示、高性能传感器等领域规模化落地，为我国半导体产业自主可控与高质量发展注入新动能。
风险提示：本文内容来自第三方，旨在传播信息，不代表本平台立场，不构成任何投资建议。投资者应依据官方公告独立判断并自行承担投资风险。
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