TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂层的光谱分析2024/10/23

飞行时间二次离子质谱（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，TOF-SIMS）是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的原子或原子团吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,这些带电粒子经过质量分析器后就可以得到关于样品表面信息的图谱。SIMS用于在超高真空条件下分析固体样品中元素、分子和同位素的分布和相对浓度，是zui灵敏的表面分析技术之一。SIMS可用于成像、光谱分析和深度剖面/三维分析。光谱分析模式可用于评估聚合物涂层的组成及其横向均匀性，同

TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪-技术解读2024/10/23

什么是TOFSIMS?它可以应用于哪些领域？能提供哪些信息？哪些样品适用（哪些不适用）？在这一系列文章中，我们将解答所有这些问题，以及更多探讨。飞行时间二次离子质谱法（ToFSIMS）是一种用于研究固体表面和薄膜的三维化学组成的表面分析技术。聚焦的一次离子束轰击目标表面，产生中性原子/分子、二次离子和电子。二次离子通过飞行时间质谱仪进行收集和分析。质谱仪通过精确测量离子到达探测器所需的时间(即“飞行时间”)来测量离子的质荷比(m/z)。通过扫描一次离子束在样品表面的区域，可以逐像素形成表面的化学

二次离子质谱仪不同质量分析器的区别2024/09/13

二次离子质谱法是一种高效的分析技术，利用化合物的离子化过程及其质量分析，以确定待测化合物的分子量、分子式和结构特征。质谱仪作为该方法的重要组成部分，通过将离子的质量进行有效分离，并依据电荷与质量比率输出至检测器，在此被探测并转换为数字信号。简介在质谱分析中，有三种常见的质谱仪离子分析器可用于离子的分离。四极杆质谱仪飞行时间质谱仪磁扇形质量分析仪四极杆质谱仪直流偏压会使所有带电分子加速并远离中心线，其速度与它们的电荷与质量比成正比。当这些分子的轨迹偏离过大时，它们将撞击金属棒或容器的侧壁并被吸收。

TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪离子源的选择2024/08/29

TOF-SIMS（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry）飞行时间二次离子质谱仪的基本组件包括一次离子束，和用于样品深度剖析的离子束。主离子束被脉冲化以供飞行时间质谱仪进行分析使用。铋基液态金属离子枪（LMIGs）是商业ToF-SIMS中常用的离子源。与金等其他LMIG源相比，铋基离子源可以在较低的温度下工作，并能产生用于分析的离子簇（例如Bi3+）。这些离子束可以紧密聚焦，以实现高空间分辨率(亚表面分析可通过在双束模式操作来实现，包括交替使用用于分析的

使用TOF-SIMS进行材料研究2024/08/13

静态SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术，能在只消耗样品单层一小部分的情况下，获得详细的质谱图。被分析的分子来自固体表面前几层，这对于探讨材料关键区域例如附着力或催化等性质至关重要。Kore公司的TOF-SIMSSurfaceSeer系列产品为科研和工业领域提供了高性价比的表面分析解决方案。以下数据展示了SurfaceSeer仪器在材料研究和分析方面的一些优势。实验质量分辨率和准确性图1.污染铝接头近来，仪器的质量分辨率和准确度均已经提高到2000（M/ΔM）以上。上图展示了从一个污染铝探针采集

TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱的技术能力2024/08/06

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）是一种表面分析技术，它将脉冲一次离子束聚焦到样品表面，在溅射过程中产生二次离子。分析这些二次离子可提供有关样品表面的分子、无机和元素种类的信息。例如，如果表面吸附了有机污染物（如油），TOF-SIMS将揭示这些信息，而其他技术则难以实现，特别是在污染物含量极低的情况下。由于TOF-SIMS是一种测量技术，因此通常可以检测到元素周期表中的所有元素，包括H。此外，这种分析可以提供质谱信息;样品上XY维度的图像信息;以及Z方向的深度剖面信息到样品中。工作原理飞行

揭秘远程微波PECVD系统简介2022/08/31

Nano-Master的远程微波等离子体化学气相沉积（PECVD）系统应用范围广泛，包含：基片或粉体的等离子诱导表面改性等离子清洗粉体或颗粒表面等离子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的选择性生长单晶或多晶金刚石生长微波模块：NANO-MASTER高质量长寿命远程微波源，频率为2.45GH，微波发射功率可以自主调节，微波反射功率可通过调节降低至发射功率的千分之一以内。远程微波源，可实现无损伤缺陷的沉积或生长。设备腔体：水冷侧壁，确保在高温工艺下腔体外表面温度控制在60℃内；

揭秘微波等离子去胶机2022/08/23

主要用途：MEMS压力传感器加工工艺中光刻胶批量处理；去除有机或无机物，而无残留；去胶渣、深刻蚀应用；半导体晶圆制造中光刻胶及SU8工艺；平板显示生产中等离子体预处理；太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒；先进晶片(芯片)封装中的衬底清洁和预处理；工作原理介绍：为了产生等离子，系统使用远程微波源。氧在真空环境下受高频及微波能量作用，电离产生具有强氧化能力的游离态氧原子，它在高频电压作用下与光刻胶薄膜反应，反应后生成的CO2和H2O通过真空系统被抽走。CF4气体可以达到更快速的去胶速率，尤其对于难以去除

带你一文领略磁控溅射2022/07/27

主要功能：主要用于半导体应用，及各种需要进行微纳工艺溅射镀膜的情形。可以用于金属材料（金、银、铜、镍、铬等）的直流溅射、直流共溅射，绝缘材料（如陶瓷等）的射频溅射，以及反应溅射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及对温度敏感的有机柔性基片等。工作原理：通过分子泵和机械泵组成的两级真空泵对不锈钢腔体抽真空，当广域真空计显示的读数达到10-6Torr量级或更高的真空时，主系统的控制软件通过控制质量流量计精确控制Ar气体(如需要溅射氧化物薄膜，可增加O2)，此时可以设定工艺所要求的真空（一般在0

我们的优势｜离子束刻蚀2020/06/16

我们的优势｜离子束刻蚀NANO-MASTER的离子束刻蚀系统有很强的适应性，可以根据不同的应用建立不同的结构，不同的样品台和离子源配置可实现不同的应用范围。系统中的样品台可实现正负90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。NM成熟的技术可控制基片温度在50℃以内。通过倾斜和旋转，深沟可切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀性，不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，也可增加溅射实现刻蚀之后的涂覆保护。应用十分广泛。NANO-MASTER的离子束刻蚀在行业中非常有竞争力，它凭什么可以这样脱颖而出呢？1

我们的优势｜NRE-4000型RIE-HCP系统2020/06/12

我们的优势｜NRE-4000型RIE-HCP系统NANO-MASTERNRE-4000型RIE-HCP系统，用于高速刻蚀硅、SiO2和Si3N4基片，通过配套HCP高密度中空阴极等离子源，系统可以支持RIE和RIE-HCP应用，提供广泛的应用。众多的优势配置，使得NRE-4000型系统具有许多优势：➢超高的薄膜均匀性➢良好的粘附力➢超净的沉积（高真空支持）➢出色的工艺控制➢高度的可重复性（计算机全自动工艺控制）➢易使用（可直接调用编好的工艺程序）➢运行可靠（所有核心组件均带有保护）➢低维护（完整

我们的优势｜NLD4000型原子层沉积2020/06/12

NANO-MASTERNLD-4000型等离子增强原子层沉积系统可以提供高品质的薄膜沉积，通过配套ICP离子源系统可以支持PEALD和T-ALD等广泛应用。众多的优势配置，使得NLD-4000型系统具有许多优势：√超高的薄膜均匀性√良好的粘附力√超净的沉积（高真空支持）√出色的工艺控制√高度的可重复性（计算机全自动工艺控制）√易使用（可直接调用编好的工艺程序）√运行可靠（所有核心组件均带有保护）√低维护（完整的安全互锁）√高、低温基片样品台√小的占地面积26”x44”√全自动工艺控制客户案例参数

我们的优势｜磁控溅射2019/08/26

NANO-MASTER设计制造的磁控溅射系统在行业内有*的竞争力，设备拥有以下突出的优势：1.计算机全自动控制的自动上下片，上面和对准的过程全部通过计算机控制，无需人工操作，并且不会损伤系统；2.全自动膜厚监控，客户可以在软件设定目标膜厚，整个工艺阶段可以实现无人值守，无需人工介入，薄膜膜厚具有高度的重复性；3.出色的膜厚均匀度，对于6"片范围内，溅射金属膜时，可以达到优于+/-1%的均匀度；4.系统可以支持溅射前的等离子预清洗功能，提供优异的膜基层性能；5.系统支持预溅射，可以去除靶材的污染物

淋浴头气流的平面ICP离子源应用于ALD系统2017/09/14

继NANO-MASTER*技术的带淋浴头气流分布的平面ICP离子源应用于NANO-MASTER的刻蚀系统，ICPECVD沉积系统，PA-MOCVD生长系统之后，该ICP离子源顺利应用于ALD系统。由于该型技术设计的ICP源为平面设计的远程等离子源，可以在更低电源下达到更高的离子密度，具有电子温度低、离子密度高、腔体空间占比低等优势，确保了该ALD系统具有薄膜无损伤、生长速度快、脉冲周期短（沉积效率可以达到两倍以上）的先进性能。此外，可以实现低温（100度以内）的薄膜生长。

进口双模式刻蚀机的主要特点2016/03/29

进口双模式刻蚀机全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8"ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。进口双模式刻蚀机主要特点：基于PC控制的紧凑型立柜式百级DRIE深硅刻蚀系统，拥有高纵横比的刻蚀能力；配套LabView软件，菜单驱动，自动记录数据；触摸屏监控；全自动系统，带安全联锁；四级权限，带密码保护；自动上下载片；带LoadLock预真空锁；He气背面冷却，-60摄

全自动磁控溅射系统技术分类2016/01/23

全自动磁控溅射系统是物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪70年代发展起来的全自动磁控溅射系统法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。全自动磁控溅射系统通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。全自动磁控溅射系统技术分类直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击

光学元件镀膜机先进的技术介绍2015/12/29

镀膜是用物理或化学的方法在材料表面镀上一层透明的电解质膜，或镀一层金属膜，目的是改变材料表面的反射和透射特性。在可见光和红外线波段范围内，大多数金属的反射率都可达到78%~98%，但不可高于98%。无论是对于CO2激光，采用铜、钼、硅、锗等来制作反射镜，采用锗、砷化镓、硒化锌作为输出窗口和透射光学元件材料，还是对于YAG激光采用普通光学玻璃作为反射镜、输出镜和透射光学元件材料，都不能达到全反射镜的99%以上要求。不同应用时输出镜有不同透过率的要求，因此必须采用光学镀膜方法。对于CO2激光灯中红外

干法刻蚀技术2015/08/28

干法刻蚀技术*，在芯片制造的过程中，硅片表面图形的形成主要依靠光刻和刻蚀两大模块。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻胶图形，刻蚀则紧接其后地将光刻胶的图形转移到衬底或衬底上的薄膜层上。随着特征尺寸要求越来越小，对光刻和刻蚀的要求也越来越高。通常一个刻蚀工艺包含以下特性：良好的刻蚀速率均匀性(Uniformity)，不仅仅是片内的均匀性(WithinWafer)，还包括片与片之间(WafertoWafer)，批次与批次之间(LottoLot)。高选择比(HighSelectivity)，被刻蚀材

微加工：剥离2015/08/06

Lift-offprocessinmicrostructuringtechnologyisamethodofcreatingstructures(patterning)ofatargetmaterialonthesurfaceofasubstrate(ex.wafer)usingasacrificialmaterial(ex.Photoresist).Itisanadditivetechniqueasopposedtomoretraditionalsubtractingtechniquelike

微加工：光刻2015/08/06

Lithographyisthestepthatallowsthedefinitionofthepatternonthesubstrate:thankstoapolymerresist,ａndusingaradiationsexposure,itfabricatesamaskabovethematerialtobepatterned.Itisacriticalsteptogettheshapesofthemicrostructures,eitherinMEMSormicroelectronics