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热释电探测器DPE12系列 参考价：15000
热释电探测器DPE12系列为常温型中远红外探测器，内置前置放大器，建议配合锁相放大器使用，推荐使用 SR830 型或 DCS500PA 型；
DPe系列热释电探测器 参考价：面议
DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。
硅光电探测器 参考价：面议
美国OSI公司（OSI Optoelectronics）是一家专业的光电产品生产商，其前身为成立于1967年的美国UDT公司（UDT Seo），在光电产品的设计...
IRA系类制冷型InGaAs PDA 参考价：面议
● InGaAs有效象元数256和512可选● 光谱范围：800-1700nm，1000-2200nm，1200-2600nm● 象元尺寸：50μm×...
iDus系列制冷型CCD和InGaAs PDA 参考价：面议
● 光谱响应范围：300-1000nm（200-1000nm），600-1700nm，800-2200nm● 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封装...
iVac制冷型CCD 参考价：面议
卓立汉光可提供多种不同种类芯片的高性能制冷型CCD 和InGaAs PDA，适用于广阔的光谱测量应用领域，给用户提供 为多样的产品选择性
制冷型InGaAs线性阵列探测器 参考价：面议
◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µm×500µm◆ 象元间距：50µm◆ 芯片采用TE制冷...
背感光制冷型CCD探测器 参考价：面议
◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型，选用科研级背感光CCD芯片◆ 光谱响应范围：300-1000nm◆ 采用AndorTM公司UltraVa...
常温型线阵CCD 探测器（3648像素） 参考价：面议
卓立汉光可提供室温型线性阵列CCD 探测器，该产品采用该技术“暗噪声温度补偿修正"（TCDCTM）技术，可在15 ～ 30℃任意室温下非常有效的抑制暗噪声，得到...
常温型线阵CCD 探测器（2048/3000像素） 参考价：面议
卓立汉光代理销售美国Ames Photonics Inc.公司常温型线性阵列CCD探测器，该产品采用该公司的技术“暗噪声温度补偿修正（TCDCTM）“，可在15...
前置放大器 参考价：面议
卓立汉光提供多种低噪声、高增益的放大器配合单通道探测器使用，主要用途是将光电探测器的输出信号经过转换、放大处理后输入至其他测试或测量设备，如数据采集系统、示波器...
热释电探测器（Pyroelectric） 参考价：面议
———常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门...
（HgCdTe）碲镉汞探测器 参考价：面议
■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）———液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22μm。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x...
锑化铟探测器 参考价：面议
■ 锑化铟探测器（Ib）———液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5μm 有DIb5-De（x）和DIb5-HS两种类型，其中：◆ DIb5-De（x）为液...
砷化铟探测器 参考价：面议
■ 砷化铟探测器（InAs）———近红外探测器波长范围：1-3.8μm DInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进...
硫化铅探测器 参考价：面议
■ 硫化铅探测器（PbS）———常温型红外探测器,波长范围：0.8-3.2μmDPbS2900/3200两种型号，两种探测器室的外观相同（内带前置放大器）
铟镓砷探测器DInGaAs系列 参考价：面议
常温型铟镓砷探测器（InGaAs）——室温型近红外探测器，使用范围：0.8-1.7μm（2.6μm）● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件；...
硅光电探测器 参考价：面议
DSi系列硅光电探测器 高灵敏型硅、紫外增强型，使用范围：200~1100nm；
光电倍增管探测器 参考价：面议
光电倍增管探测器 高灵敏型蓝敏、红敏光电倍增管，使用范围：185nm~900nm；推荐配合高压稳压电源使用，可达到 佳的效果
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