天康微差压变送器 返回列表页

天康微差压变送器工作原理及结构：

MEMS（微电子机械加工系统）的系列高稳定性单晶硅压力传感器，具有多项的性能，可广泛应用于石油化工，冶金电力，工业自动化、航空航天、核能等领域。

天康微差压变送器主要工作原理：

主单元包括传感器和过程连接，工作原理如下：传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个温度传感器和一个压力/差压传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力/差压传感器通过隔离膜片和填充液，传递给压力/差压传感器的硅芯片，使压力/差压传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。

系列单晶硅传感器的特性：

● 全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构；

● EMC符合GB/T 18268.1-2008标准要求；

● 传感器中心传感单元采用的高精度单晶硅传感器技术，最高可达±0.05%级的精度；

● 传感器内部集成高灵敏度温度传感器，单晶硅传感器受温度影响的性能优≤±0.04%/10K；

■ 高纯度单晶硅材质

系列单晶硅芯片采用超高纯度单晶硅材质，其材质特性远远优于市场上现有的复合硅、扩散硅芯片。

■ 双梁悬浮式MEMS技术

系列单晶硅芯片采用双梁结构，双层惠斯通电桥布局，双桥路相互补偿，提高信噪比，达到最佳温度特性。中间层弧角式悬浮，有效分解应力，实现超高过压。

■ 1KPa…40MPa标准量程

1KPa，4KPa，40KPa，100KPa，200KPa，400KPa，4MPa，40MPa八个标准量程，涵盖过程控制全压力范围。最小标准量程1KPa，保证微差压段性能。

■ 全球 桥路电阻：10KΩ

有效控制温度影响，保证输出信号超高信噪比，功耗低。

■ 具有大过载的正负压腔过压性能

1KPa芯片过压达1.5MPa（1500倍过压）。

4KPa芯片过压达2.5MPa（625倍过压）。

绝大部分微压力/差压传感器的应用可实现无保护膜片结构，提高整体准确度与静压特性，同时简化传感器结构、降低成本，让利于用户。

■ 芯片单晶硅层厚度达2.5mm

在硅芯片技术中，硅片的尺寸与有效硅层的厚度将对芯片的成本和性能起到很关键的作用。而且统一的传感器芯片材质，将更好的实现温度特性，让芯片在温度变化时，应力特性一致。采用全单晶硅材质，尺寸与厚度都为行业内最大，不惜成本，注重品质。

■ 芯片结构的梅花镜像布局

芯片惠斯通电桥与引线布局，采用梅花镜像对称布局。全对称布局、均衡受力，减小噪声来源，同时也方便一次封装，提高稳定性与一致性。